Биполярный транзистор 3DA30E - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DA30E
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO3
3DA30E Datasheet (PDF)
9.1. Size:110K no
3da30a-g.pdf
3da30a-g.pdf
3DA30 NPN A B C D E F G PCM Tc=25 30 W ICM 3 A Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=1mA 25 50 100 150 200 250 300 V V(BR)CEO ICE=1mA 25 50 100 150 300 250 300 V ICEO VCE=20V 1 mA IC=1.5A VCEsat 0.8 V IB=0.3A
9.2. Size:213K foshan
2sc3063 3da3063.pdf
2sc3063 3da3063.pdf
2SC3063(3DA3063) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Video output amplifier. :, Features: High V , low C . CEO ob/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 300 V CBO V 300 V CEO V 7.0 V EBO I 100 mA C I 200 mA
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050