3DA10A. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 3DA10A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15
Корпус транзистора: TO3
Аналоги (замена) для 3DA10A
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
3DA10A даташит
3da76 3da10a 3da96.pdf
Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DA76, 3DA10A, 3DA96 NPN Silicon High Frequency High Power Transistor Features 1. Excellent second breakdown capacity. Good characteristic frequency. 2. Amplification factor of small current is great. Good voltage resistance. 3. Implementation of standards QZJ840611. GJB33 A-97, QZJ840611A also for 3DA9
3da10a.pdf
Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DA10A NPN Silicon High Frequency High Power Transistor Features 1. Excellent second breakdown capacity. Good characteristic frequency. 2. Amplification factor of small current is great. Good voltage resistance. 3. Implementation of standards QZJ840611 4. Use for analog computer power output, amplifica
3da100.pdf
3DA100 NPN A B C D E PCM TC=25 100 W ICM 10 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 1.5 /W IC=3A V(BR)CBO ICB=1mA 25 50 100 150 200 V V(BR)CEO ICE=1mA 25 50 100 150 200 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=20V 1.0 mA ICEO VCE=20V
3da101 3da102.pdf
Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DA101, 3DA102 NPN Silicon High Frequency High Power Transistor Features 1. Excellent second breakdown capacity. Good characteristic frequency. 2. Amplification factor of small current is great. Good voltage resistance. 3. Implementation of standards GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611 4. Use for analog
Другие транзисторы: 3DA3417, 3DA3420, 3DA3421, 3DA3422, 3DA3502, 3DA1, 3DA2, 3DA4, B772, 3DA10B, 3DA10C, 3DA10D, 3DA10E, 3DA10F, 3DA10G, 3DA100A, 3DA100B
History: A966Y | 3DA2344
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1775 | 2n1305 | 2sc5242 | irf540 equivalent | mp1620 transistor equivalent | 2sc945 transistor | c2073 transistor | ac176 transistor





