2N658 - описание и поиск аналогов

 

2N658. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N658

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 120 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2.5 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 24 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 2N658

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N658 даташит

 0.1. Size:11K  semelab
 2n6583.pdf pdf_icon

2N658

2N6583 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) Metal Package. 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 1 2 Bipolar NPN Device. 3 VCEO = 400V (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) IC = 10A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in

 0.2. Size:11K  semelab
 2n6581.pdf pdf_icon

2N658

2N6581 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) Metal Package. 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 1 2 Bipolar NPN Device. 3 VCEO = 450V (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) IC = 10A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in

 0.3. Size:187K  inchange semiconductor
 2n6583.pdf pdf_icon

2N658

isc Silicon NPN Power Transistor 2N6583 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 400V(Min) CEO(SUS) High Current Capability Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1.5 V(Max)@ I = 10A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for linear amplifiers, s

 0.4. Size:187K  inchange semiconductor
 2n6584.pdf pdf_icon

2N658

isc Silicon NPN Power Transistor 2N6584 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 450V(Min) CEO(SUS) High Current Capability Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1.5 V(Max)@ I = 10A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for linear amplifiers, s

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N6574, 2N6575, 2N6576, 2N6577, 2N6578, 2N6579, 2N657A, 2N657S, D965, 2N6580, 2N6581, 2N6582, 2N6583, 2N6584, 2N6585, 2N6586, 2N6587

 

 

 

 

↑ Back to Top
.