Справочник транзисторов. 2N658

 

Биполярный транзистор 2N658 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N658
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 120 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2.5 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 24 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO5
 

 Аналог (замена) для 2N658

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N658 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:11K  semelab
2n6583.pdfpdf_icon

2N658

2N6583Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99)6.35 (0.25) 26.67 (1.05)9.15 (0.36)Metal Package. 10.67 (0.42)11.18 (0.44) 1.52 (0.06)3.43 (0.135)1 2 Bipolar NPN Device. 3VCEO = 400V (case)3.84 (0.151)4.09 (0.161)7.92 (0.312) IC = 10A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in

 0.2. Size:11K  semelab
2n6581.pdfpdf_icon

2N658

2N6581Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99)6.35 (0.25) 26.67 (1.05)9.15 (0.36)Metal Package. 10.67 (0.42)11.18 (0.44) 1.52 (0.06)3.43 (0.135)1 2 Bipolar NPN Device. 3VCEO = 450V (case)3.84 (0.151)4.09 (0.161)7.92 (0.312) IC = 10A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in

 0.3. Size:187K  inchange semiconductor
2n6583.pdfpdf_icon

2N658

isc Silicon NPN Power Transistor 2N6583DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 400V(Min)CEO(SUS)High Current CapabilityCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 1.5 V(Max)@ I = 10ACE(sat CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for linear amplifiers, s

 0.4. Size:187K  inchange semiconductor
2n6584.pdfpdf_icon

2N658

isc Silicon NPN Power Transistor 2N6584DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 450V(Min)CEO(SUS)High Current CapabilityCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 1.5 V(Max)@ I = 10ACE(sat CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for linear amplifiers, s

Другие транзисторы... 2N6574 , 2N6575 , 2N6576 , 2N6577 , 2N6578 , 2N6579 , 2N657A , 2N657S , NJW0281G , 2N6580 , 2N6581 , 2N6582 , 2N6583 , 2N6584 , 2N6585 , 2N6586 , 2N6587 .

History: UNR1115 | 2N6533 | SM3174 | 2N678B | 2SC5855A | BSR60 | HSD468

 

 
Back to Top

 


 
.