3DA80B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DA80B  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO18

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DA80B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DA80B даташит

 9.1. Size:24K  shaanxi
 3da80.pdf pdf_icon

3DA80B

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DA80 NPN Silicon High Frequency Middle Power Transistor Features 1. Using epitaxy planar technology structure. High working frequency. Metallic packaging. 2. Small volume, light weight, easy installation. 3. Use for high frequency oscillation, high frequency small signal amplification, low power source

Другие транзисторы: 3DA3279, 3DA3866, 3DA8A, 3DA8B, 3DA8C, 3DA8D, 3DA8E, 3DA80A, MJE350, 3DA80C, 3DA87A, 3DA87B, 3DA87C, 3DA87D, 3DA882, 3DA96A, 3DA96B