Справочник транзисторов. 3DA50C

 

Биполярный транзистор 3DA50C Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DA50C
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для 3DA50C

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DA50C Datasheet (PDF)

 9.1. Size:105K  china
 3da5038.pdf pdf_icon

3DA50C

3DA5038 NPN PCM TC=25 140 W ICM 20 A Tjm 175 Tstg -55~175 V(BR)CBO ICB=10mA 150 V V(BR)CEO ICE=10mA 150 V V(BR)EBO IEB=10mA 5 V ICBO VCB=Vcbo 1.0 mA ICEO VEB=0.5VCEO 1.0 mA IC=10A VCEsat 1.5 IB=2A VCE=5V hFE 55~80 IC=10A

 9.2. Size:25K  shaanxi
 3da50.pdf pdf_icon

3DA50C

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DA50NPN Silicon High Frequency High Power Transistor Features: 1. Excellent second breakdown capacity. Good characteristic frequency. 2. Amplification factor of small current is great. Good voltage resistance. 3. Implementation of standards: GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611 4. Use for analog computer

Другие транзисторы... 3DA5B , 3DA5C , 3DA5D , 3DA5E , 3DA5F , 3DA5G , 3DA50A , 3DA50B , A1015 , 3DA50D , 3DA50E , 3DA50F , 3DA50G , 3DA5038 , 3DA5109 , 3DA56 , 3DA58A .

 

 
Back to Top

 


 
.