3DA50G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DA50G  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DA50G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DA50G даташит

 9.1. Size:105K  china
 3da5038.pdf pdf_icon

3DA50G

 9.2. Size:25K  shaanxi
 3da50.pdf pdf_icon

3DA50G

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DA50 NPN Silicon High Frequency High Power Transistor Features 1. Excellent second breakdown capacity. Good characteristic frequency. 2. Amplification factor of small current is great. Good voltage resistance. 3. Implementation of standards GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611 4. Use for analog computer

Другие транзисторы: 3DA5F, 3DA5G, 3DA50A, 3DA50B, 3DA50C, 3DA50D, 3DA50E, 3DA50F, 2SA1943, 3DA5038, 3DA5109, 3DA56, 3DA58A, 3DA58B, 3DA58C, 3DA58D, 3DA58E