3DA56 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DA56  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: SOT89

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DA56

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DA56 даташит

 ..1. Size:113K  china
 3da56.pdf pdf_icon

3DA56

3DA56 NPN PCM Ta=25 1.3 W ICM 1 A Tjm 150 Tstg -55 150 V(BR)CBO 0.1mA 80 V V(BR)CEO 0.1mA 100 V V(BR)EBO 0.1mA 5 V ICBO VEB=5V 0.1 A IEBO VCB=30V 0.1 A VBEsat 0.5 IC=500mA V IB=50mA VCEsat 1 VCE=2V hFE 25 IC=50

Другие транзисторы: 3DA50B, 3DA50C, 3DA50D, 3DA50E, 3DA50F, 3DA50G, 3DA5038, 3DA5109, 13007, 3DA58A, 3DA58B, 3DA58C, 3DA58D, 3DA58E, 3DA608A, 3DA608B, 3DA608C