Справочник транзисторов. 2STBN15D100

 

Биполярный транзистор 2STBN15D100 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2STBN15D100
   Маркировка: BN15D100
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
   Корпус транзистора: TO263

 Аналоги (замена) для 2STBN15D100

 

 

2STBN15D100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:104K  st
2stbn15d100.pdf

2STBN15D100
2STBN15D100

2STBN15D100Low voltage NPN power Darlington transistorFeatures Good hFE linearity High fT frequencyTAB Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode3Application1 Linear and switching industrial equipmentDPAKDescriptionThe device is manufactured in planar technology with base island layout and monolithic

 0.1. Size:104K  st
2stbn15d100t4.pdf

2STBN15D100
2STBN15D100

2STBN15D100Low voltage NPN power Darlington transistorFeatures Good hFE linearity High fT frequencyTAB Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode3Application1 Linear and switching industrial equipmentDPAKDescriptionThe device is manufactured in planar technology with base island layout and monolithic

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top