2STBN15D100 - описание и поиск аналогов

 

2STBN15D100. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2STBN15D100

Маркировка: BN15D100

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO263

 Аналоги (замена) для 2STBN15D100

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2STBN15D100 даташит

 ..1. Size:104K  st
 2stbn15d100.pdf pdf_icon

2STBN15D100

2STBN15D100 Low voltage NPN power Darlington transistor Features Good hFE linearity High fT frequency TAB Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode 3 Application 1 Linear and switching industrial equipment D PAK Description The device is manufactured in planar technology with base island layout and monolithic

 0.1. Size:104K  st
 2stbn15d100t4.pdf pdf_icon

2STBN15D100

2STBN15D100 Low voltage NPN power Darlington transistor Features Good hFE linearity High fT frequency TAB Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode 3 Application 1 Linear and switching industrial equipment D PAK Description The device is manufactured in planar technology with base island layout and monolithic

Другие транзисторы: 2N869AX, 2N869AXCSM, 2N869AXDCSM, 2N6676T1, 2N6676T3, 2N6678M3A, 2N6678T1, 2N6678T3, BC639, 2STD1360, 2STD2360, 2STF1525, 2STF2280, 2STL1525, 2STN2340, 2STW100, 2STW200

 

 

 

 

↑ Back to Top
.