Справочник транзисторов. 2SD669-B

 

Биполярный транзистор 2SD669-B Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD669-B
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 14 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO126
 

 Аналог (замена) для 2SD669-B

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD669-B Datasheet (PDF)

 0.1. Size:265K  mcc
 2sd669-b-c-d 2sd669a-b-c.pdf pdf_icon

2SD669-B

 7.1. Size:236K  secos
 2sd669-669a.pdf pdf_icon

2SD669-B

2SD669/2SD669A NPN Type Elektronische Bauelemente Plastic Encapsulate Transistors RoHS Compliant ProductA suffix of "-C" specifies halogen & lead-freeTO-126C2.70.27.60.2FEATURES 1.30.24.00.1Power dissipation 10.80.2 PCM : 1mWTamb=25 O3.1 0.1Collector current 1 2 32.20.1 ICM : 1.5 A1.270.1Collector-base voltage 15.50.2V

 7.2. Size:180K  lge
 2sd669-2sd669a to-126.pdf pdf_icon

2SD669-B

2SD669/2SD669A(NPN) TO-126 TransistorTO-1261. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE 3 21 Features2.5007.4002.9001.1007.800 Low frequency power amplifier complementary pair 1.500with 2SB649/A 3.9003.0004.100MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 3.20010.6000.0000.300Symbol Parameter Value Units11.000VCBO Collector- Base Voltage 180 V 2.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SD667L-B , 2SD667L-C , 2SD667L-D , 2SD669A-B , 2SD669A-C , 2SD669AL , 2SD669AM , 2SD669AM-A , 13007 , 2SD669-C , 2SD669-D , 2SD468B , 2SD468C , 2SD601LT1 , 2SD602LT1 , 2SD874AQ , 2SD874AR .

History: 2SC3295A | 2SD1097

 

 
Back to Top

 


 
.