2SD669-B Todos los transistores

 

2SD669-B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD669-B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
   Tensión colector-base (Vcb): 180 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 14 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO126
 

 Búsqueda de reemplazo de 2SD669-B

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2SD669-B Datasheet (PDF)

 0.1. Size:265K  mcc
 2sd669-b-c-d 2sd669a-b-c.pdf pdf_icon

2SD669-B

 7.1. Size:236K  secos
 2sd669-669a.pdf pdf_icon

2SD669-B

2SD669/2SD669A NPN Type Elektronische Bauelemente Plastic Encapsulate Transistors RoHS Compliant ProductA suffix of "-C" specifies halogen & lead-freeTO-126C2.70.27.60.2FEATURES 1.30.24.00.1Power dissipation 10.80.2 PCM : 1mWTamb=25 O3.1 0.1Collector current 1 2 32.20.1 ICM : 1.5 A1.270.1Collector-base voltage 15.50.2V

 7.2. Size:180K  lge
 2sd669-2sd669a to-126.pdf pdf_icon

2SD669-B

2SD669/2SD669A(NPN) TO-126 TransistorTO-1261. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE 3 21 Features2.5007.4002.9001.1007.800 Low frequency power amplifier complementary pair 1.500with 2SB649/A 3.9003.0004.100MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 3.20010.6000.0000.300Symbol Parameter Value Units11.000VCBO Collector- Base Voltage 180 V 2.

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... 2SD667L-B , 2SD667L-C , 2SD667L-D , 2SD669A-B , 2SD669A-C , 2SD669AL , 2SD669AM , 2SD669AM-A , 13007 , 2SD669-C , 2SD669-D , 2SD468B , 2SD468C , 2SD601LT1 , 2SD602LT1 , 2SD874AQ , 2SD874AR .

 

 
Back to Top

 


 
.