2SD602LT1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD602LT1  📄📄 

Маркировка: 1P

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.23 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD602LT1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD602LT1 даташит

 ..1. Size:59K  wej
2sd602lt1.pdfpdf_icon

2SD602LT1

RoHS 2SD602LT1 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR GENERAL PURPOSE TRANSISTOR * Complement to MMBT2907ALT1 * Collector Dissipation Pc(max)=225mW * Collector-Emitter Voltage Vceo= 40V ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25 Characteristic Symbol Rating Unit 1. 1.GATE Collector-Base Voltage Vcbo 75 V 2.SOURCER 2.4 3.DRAIE 1.3 Collector-Emitter Voltage Vceo 40 V Emitter-Base V

 8.1. Size:44K  panasonic
2sd602 e.pdfpdf_icon

2SD602LT1

Transistor 2SD602, 2SD602A Silicon NPN epitaxial planer type For general amplification Unit mm Complementary to 2SB710 and 2SB710A +0.2 Features 2.8 0.3 +0.25 0.65 0.15 1.5 0.05 0.65 0.15 Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing and the magazine 1 pack

 8.2. Size:40K  panasonic
2sd602.pdfpdf_icon

2SD602LT1

Transistor 2SD602, 2SD602A Silicon NPN epitaxial planer type For general amplification Unit mm Complementary to 2SB710 and 2SB710A +0.2 Features 2.8 0.3 +0.25 0.65 0.15 1.5 0.05 0.65 0.15 Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing and the magazine 1 pack

 8.3. Size:1177K  secos
2sd602,602a.pdfpdf_icon

2SD602LT1

2SD602 / 2SD602A NPN Plastic-Encapsulate Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-23 FEATURE Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) A L 3 3 Top View CLASSIFICATION OF hFE (1) C B 1 1 2 Product-Rank 2SD602-Q 2SD602-R 2SD602-S 2 K E Range 85 170 120 240 170 340 D Marking Code WQ

Другие транзисторы: 2SD669AM, 2SD669AM-A, 2SD669-B, 2SD669-C, 2SD669-D, 2SD468B, 2SD468C, 2SD601LT1, 2SD718, 2SD874AQ, 2SD874AR, 2SD874AS, 2SD874Q, 2SD874R, 2SD874S, 2SD882GP, 2SD882-GR