Биполярный транзистор 2SD602LT1 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SD602LT1
Маркировка: 1P
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.23 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для 2SD602LT1
2SD602LT1 Datasheet (PDF)
0.1. 2sd602lt1.pdf 
Size:59K _wej
RoHS 2SD602LT1 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR GENERAL PURPOSE TRANSISTOR * Complement to MMBT2907ALT1 * Collector Dissipation: Pc(max)=225mW * Collector-Emitter Voltage :Vceo= 40V ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25 Characteristic Symbol Rating Unit1.1.GATECollector-Base Voltage Vcbo 75 V 2.SOURCER2.43.DRAIE1.3Collector-Emitter Voltage Vceo 40 V Emitter-Base V
8.1. 2sd602 e.pdf Size:44K _panasonic
Transistor2SD602, 2SD602ASilicon NPN epitaxial planer typeFor general amplificationUnit: mmComplementary to 2SB710 and 2SB710A+0.2Features2.8 0.3+0.25 0.65 0.15 1.5 0.05 0.65 0.15Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat).Mini type package, allowing downsizing of the equipment andautomatic insertion through the tape packing and the magazine1pack
8.2. 2sd602.pdf Size:40K _panasonic
Transistor2SD602, 2SD602ASilicon NPN epitaxial planer typeFor general amplificationUnit: mmComplementary to 2SB710 and 2SB710A+0.2Features2.8 0.3+0.25 0.65 0.15 1.5 0.05 0.65 0.15Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat).Mini type package, allowing downsizing of the equipment andautomatic insertion through the tape packing and the magazine1pack
8.3. 2sd602,602a.pdf Size:1177K _secos
2SD602 / 2SD602A NPN Plastic-Encapsulate Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-23 FEATURE Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) AL33Top ViewCLASSIFICATION OF hFE (1) C B11 2Product-Rank 2SD602-Q 2SD602-R 2SD602-S 2K ERange 85~170 120~240 170~340 DMarking Code WQ
8.4. 2sd602a.pdf Size:429K _htsemi
2SD602ATRANSISTOR (NPN)SOT23 FEATURES Low Collector to Emitter Saturation Voltage Mini Type Package 1. BASE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 2. EMITTER Symbol Parameter Value Unit 3. COLLECTOR V Collector-Base Voltage 60 V CBOV Collector-Emitter Voltage 50 V CEOV Emitter-Base Voltage 5 V EBOIC Collector Current 500 mA PC Collector
8.5. 2sd602.pdf Size:453K _htsemi
2SD602TRANSISTOR (NPN)SOT23 FEATURES Low Collector to Emitter Saturation Voltage Mini Type Package 1. BASE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 2. EMITTER Symbol Parameter Value Unit 3. COLLECTOR V Collector-Base Voltage 30 V CBOV Collector-Emitter Voltage 25 V CEOV Emitter-Base Voltage 5 V EBOIC Collector Current 500 mA PC Collector P
8.6. 2sd602.pdf Size:713K _blue-rocket-elect
2SD602(BR3DG602M) 2SD602A(BR3DG602AM) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 NPN Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features 2SB710(BR3CG710M),2SB710A(BR3CG710AM)Complementary pair with 2SB710(BR3CG710M),2SB710A(BR3CG710AM) / Applications General
8.7. 2sd602a.pdf Size:352K _kexin
SMD Type TransistorsNPN Transistors2SD602ASOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.13 Features Low Collector to Emitter Saturation Voltage Mini Type Package1 2 Complimentary to 2SB710A+0.050.95+0.1-0.1 0.1 -0.011.9+0.1-0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Volt
Другие транзисторы... BC507FA , BC507FB , BC508 , BC508A , BC508B , BC508C , BC508F , BC508FA , D882 , BC508FC , BC509 , BC509B , BC509C , BC509F , BC509FB , BC509FC , BC510 .
