2SD602LT1 - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2SD602LT1
Маркировка: 1P
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.23 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для 2SD602LT1
2SD602LT1 - технические параметры
2sd602lt1.pdf
RoHS 2SD602LT1 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR GENERAL PURPOSE TRANSISTOR * Complement to MMBT2907ALT1 * Collector Dissipation Pc(max)=225mW * Collector-Emitter Voltage Vceo= 40V ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25 Characteristic Symbol Rating Unit 1. 1.GATE Collector-Base Voltage Vcbo 75 V 2.SOURCER 2.4 3.DRAIE 1.3 Collector-Emitter Voltage Vceo 40 V Emitter-Base V
2sd602 e.pdf
Transistor 2SD602, 2SD602A Silicon NPN epitaxial planer type For general amplification Unit mm Complementary to 2SB710 and 2SB710A +0.2 Features 2.8 0.3 +0.25 0.65 0.15 1.5 0.05 0.65 0.15 Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing and the magazine 1 pack
2sd602.pdf
Transistor 2SD602, 2SD602A Silicon NPN epitaxial planer type For general amplification Unit mm Complementary to 2SB710 and 2SB710A +0.2 Features 2.8 0.3 +0.25 0.65 0.15 1.5 0.05 0.65 0.15 Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing and the magazine 1 pack
2sd602,602a.pdf
2SD602 / 2SD602A NPN Plastic-Encapsulate Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-23 FEATURE Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) A L 3 3 Top View CLASSIFICATION OF hFE (1) C B 1 1 2 Product-Rank 2SD602-Q 2SD602-R 2SD602-S 2 K E Range 85 170 120 240 170 340 D Marking Code WQ
Другие транзисторы... 2SD669AM , 2SD669AM-A , 2SD669-B , 2SD669-C , 2SD669-D , 2SD468B , 2SD468C , 2SD601LT1 , 13007 , 2SD874AQ , 2SD874AR , 2SD874AS , 2SD874Q , 2SD874R , 2SD874S , 2SD882GP , 2SD882-GR .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437 | tip32a | p75nf75 mosfet equivalent | irfpe50 | tip50










