2N6599 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N6599  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.075 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO33-1

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N6599

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N6599 даташит

 9.1. Size:160K  bocasemi
 2n6494 2n6594.pdf pdf_icon

2N6599

A Boca Semiconductor Corp http //www.bocasemi.com A Boca Semiconductor Corp BSC http //www.bocasemi.com A Boca Semiconductor Corp BSC http //www.bocasemi.com

 9.2. Size:151K  jmnic
 2n6594.pdf pdf_icon

2N6599

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N6594 DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type 2N6569 Wide area of safe operation APPLICATIONS Designed for low voltage amplifier power switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL

 9.3. Size:117K  inchange semiconductor
 2n6594.pdf pdf_icon

2N6599

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N6594 DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type 2N6569 Wide area of safe operation APPLICATIONS Designed for low voltage amplifier power switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings

Другие транзисторы: 2N6591, 2N6592, 2N6593, 2N6594, 2N6595, 2N6596, 2N6597, 2N6598, TIP120, 2N66, 2N660, 2N6600, 2N6601, 2N6602, 2N6603, 2N6604, 2N6609