Справочник транзисторов. 2N660

 

Биполярный транзистор 2N660 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2N660
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 11 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 120 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 24 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 2N660

 

 

2N660 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:205K  motorola
 2n3773 2n6609.pdf

2N660 2N660

Order this documentMOTOROLAby 2N3773/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATANPN2N3773*Complementary Silicon PowerPNP2N6609TransistorsThe 2N3773 and 2N6609 are PowerBase power transistors designed for high*Motorola Preferred Devicepower audio, disk head positioners and other linear applications. These devices canalso be used in power switching circuits such as relay or solenoid d

 0.2. Size:80K  central
 2n3773 2n6609.pdf

2N660

TMCentralSemiconductor Corp.145 Adams AvenueHauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824www.centralsemi.com

 0.3. Size:93K  onsemi
 2n3773 2n6609.pdf

2N660 2N660

NPN 2N3773*, PNP 2N6609Preferred DeviceComplementary SiliconPower TransistorsThe 2N3773 and 2N6609 are PowerBaset power transistorsdesigned for high power audio, disk head positioners and other linearapplications. These devices can also be used in power switchinghttp://onsemi.comcircuits such as relay or solenoid drivers, DC-DC converters orinverters.16 A COMPLEMENTARYFeat

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
Back to Top