Справочник транзисторов. SUM201MN

 

Биполярный транзистор SUM201MN Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: SUM201MN
   Маркировка: SUM201
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.64 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 42 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: DFN3X3
 

 Аналог (замена) для SUM201MN

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SUM201MN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:418K  auk
 sum201mn.pdf pdf_icon

SUM201MN

SUM201MNP-Channel MOSFET + PNP BJTIntegrated Power MOSFET with PNP Low VCE(sat) Switching Transistor DFN-8 This integrated device represents a new level of safety andboard-space reduction by combining the 20V P-Channel FET with aPNP Silicon Low VCE(sat) switching transistor. This newly integratedproduct provides higher efficiency and accuracy for battery poweredMOSFET portab

 ..2. Size:427K  kodenshi
 sum201mn.pdf pdf_icon

SUM201MN

SUM201MNP-Channel MOSFET + PNP BJTIntegrated Power MOSFET with PNP Low VCE(sat) Switching Transistor DFN-8 This integrated device represents a new level of safety andboard-space reduction by combining the 20V P-Channel FET with aPNP Silicon Low VCE(sat) switching transistor. This newly integratedproduct provides higher efficiency and accuracy for battery poweredMOSFET portab

 9.1. Size:369K  auk
 sum202mn.pdf pdf_icon

SUM201MN

SUM202MNP-Channel MOSFET + PNP BJTIntegrated Power MOSFET with PNP Low VCE(sat) Switching Transistor DFN-8 8 This integrated device represents a new level of safety andboard-space reduction by combining the 20V P-Channel FET with a1 PNP Silicon Low VCE(sat) switching transistor. This newly integratedproduct provides higher efficiency and accuracy for battery poweredMOSFET

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: RN1414 | FJV4105R

 

 
Back to Top

 


 
.