SUM201MN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SUM201MN  📄📄 

Маркировка: SUM201

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.64 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 42 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: DFN3X3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для SUM201MN

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SUM201MN даташит

 ..1. Size:418K  auk
 sum201mn.pdf pdf_icon

SUM201MN

SUM201MN P-Channel MOSFET + PNP BJT Integrated Power MOSFET with PNP Low VCE(sat) Switching Transistor DFN-8 This integrated device represents a new level of safety and board-space reduction by combining the 20V P-Channel FET with a PNP Silicon Low VCE(sat) switching transistor. This newly integrated product provides higher efficiency and accuracy for battery powered MOSFET portab

 ..2. Size:427K  kodenshi
 sum201mn.pdf pdf_icon

SUM201MN

SUM201MN P-Channel MOSFET + PNP BJT Integrated Power MOSFET with PNP Low VCE(sat) Switching Transistor DFN-8 This integrated device represents a new level of safety and board-space reduction by combining the 20V P-Channel FET with a PNP Silicon Low VCE(sat) switching transistor. This newly integrated product provides higher efficiency and accuracy for battery powered MOSFET portab

 9.1. Size:369K  auk
 sum202mn.pdf pdf_icon

SUM201MN

SUM202MN P-Channel MOSFET + PNP BJT Integrated Power MOSFET with PNP Low VCE(sat) Switching Transistor DFN-8 8 This integrated device represents a new level of safety and board-space reduction by combining the 20V P-Channel FET with a 1 PNP Silicon Low VCE(sat) switching transistor. This newly integrated product provides higher efficiency and accuracy for battery powered MOSFET

Другие транзисторы: QSZ4, R13003F1, SS8050-C, SS8050-D, SS8050G, SS8550-C, SS8550-D, SS8550G, C945, SVT6062, WTMA94, WTP772, WW263, WW264, YZ21F, FHD21F, ZT284CSM