SPT5008S1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SPT5008S1  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 275 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 45

Корпус транзистора: SMD1

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для SPT5008S1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SPT5008S1 даташит

 7.1. Size:76K  ssdi
 spt5006 spt5008.pdf pdf_icon

SPT5008S1

SPT5006 and SPT5008 Series Solid State Devices, Inc. 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone (562) 404-4474 * Fax (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com 10 AMPS DESIGNER S DATA SHEET 100 Volts Part Number / Ordering Information 1/ High Power - High Speed SPT5006 __ __ __ NPN Transistors SPT5008 __ __ __ Screening 2/ __ = Not

 9.1. Size:5480K  cn sps
 spt50n65f1a1t8tl.pdf pdf_icon

SPT5008S1

SPT50N65F1A1T8TL 650V /50A Trench Field Stop IGBT 650V Trench Field Stop IGBTs offer V 650 V CE low switching losses, high energy efficiency I 50 A C and high avalanche ruggedness for motion control, solar application and welding machine. V I =50A 1.65 V CE(SAT) C FEATURES High breakdown voltage up to 650V for improved reliability Trench-Stop Technology offering

 9.2. Size:5494K  cn sps
 spt50n65f1at8tl.pdf pdf_icon

SPT5008S1

SPT50N65F1AT8TL 650V /50A Trench Field Stop IGBT 650V Trench Field Stop IGBTs offer V 650 V CE low switching losses, high energy efficiency I 50 A C and high avalanche ruggedness for motion control, solar application and welding machine. V I =50A 1.8 V CE(SAT) C FEATURES High breakdown voltage up to 650V for improved reliability Trench-Stop Technology offering

 9.3. Size:1793K  cn sptech
 spt50n65f1a1.pdf pdf_icon

SPT5008S1

SPT50N65F1A1 650V /50A Trench Field Stop IGBT 650V Trench Field Stop IGBTs offer V 650 V CE low switching losses, high energy efficiency I 50 A C and high avalanche ruggedness for motion control, solar application and welding machine. V I =50A 1.65 V CE(SAT) C FEATURES High breakdown voltage up to 650V for improved reliability Trench-Stop Technology offering

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: SMA6511, SPT5006-3, SPT5006-61, SPT5006M, SPT5006S1, SPT5008-3, SPT5008-61, SPT5008M, 2N4401, SPT5330, MBT35200MT1, SMBT35200MT1G, MBT3904DW1T1G, MBT3904DW2T1G, SMBT3904DW1T1G, MBT3906DW1T1G, SMBT3906DW1T1G