Справочник транзисторов. MBT3904DW1T1G

 

Биполярный транзистор MBT3904DW1T1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MBT3904DW1T1G
   Маркировка: MA
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SOT363
 

 Аналог (замена) для MBT3904DW1T1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MBT3904DW1T1G Datasheet (PDF)

 0.1. Size:908K  onsemi
smbt3904dw1t1g mbt3904dw.pdfpdf_icon

MBT3904DW1T1G

MBT3904DW1T1G,MBT3904DW2T1G,SMBT3904DW1T1GDual General PurposeTransistorshttp://onsemi.comThe MBT3904DW1T1G and MBT3904DW2T1G devices are aspin-off of our popular SOT-23/SOT-323 three-leaded device. It isMARKINGdesigned for general purpose amplifier applications and is housed inDIAGRAMthe SOT-363 six-leaded surface mount package. By putting two6discrete devices in one

 0.2. Size:554K  lrc
lmbt3904dw1t1g lmbt3904dw1t3g.pdfpdf_icon

MBT3904DW1T1G

LMBT3904DW1T1GS-LMBT3904DW1T1GGeneral Purpose Transistors NPN Silicon1. FEATURESWe declare that the material of product compliance withRoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101SC88(SOT-363) qualified and PPAP capable.Low VCE(sat), 0.4 VSimplifi

 0.3. Size:506K  lrc
lmbt3904dw1t1g.pdfpdf_icon

MBT3904DW1T1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Dual General Purpose Transistors The LMBT3904DW1T1G device is a spinoff of our popularLMBT3904DW1T1GSOT23/SOT323 threeleaded device. It is designed for generalpurpose amplifier applications and is housed in the SOT363S-LMBT3904DW1T1Gsixleaded surface mount package. By putting two discrete devicesin one package , this device is ideal fo

Другие транзисторы... SPT5006S1 , SPT5008-3 , SPT5008-61 , SPT5008M , SPT5008S1 , SPT5330 , MBT35200MT1 , SMBT35200MT1G , NJW0281G , MBT3904DW2T1G , SMBT3904DW1T1G , MBT3906DW1T1G , SMBT3906DW1T1G , SMBT3906S , MBT3946DW1T1G , SMBT3946DW1T1G , SML4017 .

 

 
Back to Top

 


 
.