MBT3904DW1T1G - описание и поиск аналогов

 

MBT3904DW1T1G - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MBT3904DW1T1G
   Маркировка: MA
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SOT363

 Аналоги (замена) для MBT3904DW1T1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MBT3904DW1T1G - технические параметры

 0.1. Size:908K  onsemi
 smbt3904dw1t1g mbt3904dw.pdf pdf_icon

MBT3904DW1T1G

MBT3904DW1T1G, MBT3904DW2T1G, SMBT3904DW1T1G Dual General Purpose Transistors http //onsemi.com The MBT3904DW1T1G and MBT3904DW2T1G devices are a spin-off of our popular SOT-23/SOT-323 three-leaded device. It is MARKING designed for general purpose amplifier applications and is housed in DIAGRAM the SOT-363 six-leaded surface mount package. By putting two 6 discrete devices in one

 0.2. Size:554K  lrc
 lmbt3904dw1t1g lmbt3904dw1t3g.pdf pdf_icon

MBT3904DW1T1G

LMBT3904DW1T1G S-LMBT3904DW1T1G General Purpose Transistors NPN Silicon 1. FEATURES We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 SC88(SOT-363) qualified and PPAP capable. Low VCE(sat), 0.4 V Simplifi

 0.3. Size:506K  lrc
 lmbt3904dw1t1g.pdf pdf_icon

MBT3904DW1T1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Dual General Purpose Transistors The LMBT3904DW1T1G device is a spin off of our popular LMBT3904DW1T1G SOT 23/SOT 323 three leaded device. It is designed for general purpose amplifier applications and is housed in the SOT 363 S-LMBT3904DW1T1G six leaded surface mount package. By putting two discrete devices in one package , this device is ideal fo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... SPT5006S1 , SPT5008-3 , SPT5008-61 , SPT5008M , SPT5008S1 , SPT5330 , MBT35200MT1 , SMBT35200MT1G , D965 , MBT3904DW2T1G , SMBT3904DW1T1G , MBT3906DW1T1G , SMBT3906DW1T1G , SMBT3906S , MBT3946DW1T1G , SMBT3946DW1T1G , SML4017 .

 

 
Back to Top

 


 
.