MBT3906DW1T1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MBT3906DW1T1G  📄📄 

Маркировка: A2

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SOT363

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MBT3906DW1T1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MBT3906DW1T1G даташит

 ..1. Size:130K  onsemi
 mbt3906dw1t1g smbt3906dw1t1g.pdf pdf_icon

MBT3906DW1T1G

MBT3906DW1T1G, SMBT3906DW1T1G Dual General Purpose Transistor The MBT3906DW1T1G device is a spin-off of our popular SOT-23/SOT-323 three-leaded device. It is designed for general http //onsemi.com purpose amplifier applications and is housed in the SOT-363 six-leaded surface mount package. By putting two discrete devices in one package, this device is ideal for low-power surface mount

 0.1. Size:193K  lrc
 lmbt3906dw1t1g.pdf pdf_icon

MBT3906DW1T1G

 2.1. Size:178K  onsemi
 mbt3906dw1t1.pdf pdf_icon

MBT3906DW1T1G

MBT3906DW1T1G Dual General Purpose Transistor The MBT3906DW1T1G device is a spin-off of our popular SOT-23/SOT-323 three-leaded device. It is designed for general purpose amplifier applications and is housed in the SOT-363 http //onsemi.com six-leaded surface mount package. By putting two discrete devices in one package, this device is ideal for low-power surface mount applications whe

 2.2. Size:344K  willas
 mmbt3906dw1t1.pdf pdf_icon

MBT3906DW1T1G

FM120-M WILLAS MMBT3906DW1T1 THRU Dual Bias Resistor Transistor FM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200V SOD-123 PACKAGE Pb Free Product Package outline Features Batch process design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and thermal resistance. SOD-123H Low profile surface mounted application in order to optimi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: SPT5008M, SPT5008S1, SPT5330, MBT35200MT1, SMBT35200MT1G, MBT3904DW1T1G, MBT3904DW2T1G, SMBT3904DW1T1G, BC549, SMBT3906DW1T1G, SMBT3906S, MBT3946DW1T1G, SMBT3946DW1T1G, SML4017, SML4017A, SML5321, SML7A12