MBT3906DW1T1G - описание и поиск аналогов

 

MBT3906DW1T1G - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MBT3906DW1T1G
   Маркировка: A2
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SOT363

 Аналоги (замена) для MBT3906DW1T1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MBT3906DW1T1G - технические параметры

 ..1. Size:130K  onsemi
mbt3906dw1t1g smbt3906dw1t1g.pdfpdf_icon

MBT3906DW1T1G

MBT3906DW1T1G, SMBT3906DW1T1G Dual General Purpose Transistor The MBT3906DW1T1G device is a spin-off of our popular SOT-23/SOT-323 three-leaded device. It is designed for general http //onsemi.com purpose amplifier applications and is housed in the SOT-363 six-leaded surface mount package. By putting two discrete devices in one package, this device is ideal for low-power surface mount

 0.1. Size:193K  lrc
lmbt3906dw1t1g.pdfpdf_icon

MBT3906DW1T1G

 2.1. Size:178K  onsemi
mbt3906dw1t1.pdfpdf_icon

MBT3906DW1T1G

MBT3906DW1T1G Dual General Purpose Transistor The MBT3906DW1T1G device is a spin-off of our popular SOT-23/SOT-323 three-leaded device. It is designed for general purpose amplifier applications and is housed in the SOT-363 http //onsemi.com six-leaded surface mount package. By putting two discrete devices in one package, this device is ideal for low-power surface mount applications whe

 2.2. Size:344K  willas
mmbt3906dw1t1.pdfpdf_icon

MBT3906DW1T1G

FM120-M WILLAS MMBT3906DW1T1 THRU Dual Bias Resistor Transistor FM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200V SOD-123 PACKAGE Pb Free Product Package outline Features Batch process design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and thermal resistance. SOD-123H Low profile surface mounted application in order to optimi

Другие транзисторы... SPT5008M , SPT5008S1 , SPT5330 , MBT35200MT1 , SMBT35200MT1G , MBT3904DW1T1G , MBT3904DW2T1G , SMBT3904DW1T1G , BC549 , SMBT3906DW1T1G , SMBT3906S , MBT3946DW1T1G , SMBT3946DW1T1G , SML4017 , SML4017A , SML5321 , SML7A12 .

History: 3DA608C

 

 
Back to Top

 


 
.