Справочник транзисторов. 2SD1499-P

 

Биполярный транзистор 2SD1499-P Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD1499-P
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 90 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO220F
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1499-P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:439K  mcc
 2sd1499-p.pdf pdf_icon

2SD1499-P

MCCTMMicro Commercial Components20736 Marilla Street Chatsworth2SD1499-PMicro Commercial ComponentsCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratingNPN Silicon Moisure Sensitivity Level 1 Wide Safe Operation Area Power Transistors Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) ("P" Suffix designates RoHS Com

 7.1. Size:44K  panasonic
 2sd1499.pdf pdf_icon

2SD1499-P

Power Transistors2SD1499Silicon NPN triple diffusion planar typeFor high power amplificationUnit: mmComplementary to 2SB106310.0 0.2 4.2 0.25.5 0.2 2.7 0.2FeaturesExtremely satisfactory linearity of the forward current transfer 3.1 0.1ratio hFEWide area of safe operation (ASO)High transition frequency fTFull-pack package which can be installed to the heat

 7.2. Size:187K  lge
 2sd1499.pdf pdf_icon

2SD1499-P

2SD1499(NPN)TO-220F Bipolar TransistorsTO-220F1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 1 2 3Features Extremely satisfactory linearity of the forward current transferratio hFE Wide safe operation area High transition frequency fT Full-pack package which can be installed to the heat sink with one screw. MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter

 7.3. Size:215K  inchange semiconductor
 2sd1499.pdf pdf_icon

2SD1499-P

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1499DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 100V (Min)(BR)CEOWide Area of Safe OperationComplement to Type 2SB1063Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high power amplifications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
Back to Top

 


 
.