Справочник транзисторов. BULD39DT4

 

Биполярный транзистор BULD39DT4 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BULD39DT4
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 4
   Корпус транзистора: TO252
 

 Аналог (замена) для BULD39DT4

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BULD39DT4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:246K  st
 buld39dt4 buld39d-1.pdf pdf_icon

BULD39DT4

BULD39D-1BULD39DT4High Voltage Fast-SwitchingNPN Power TransistorGeneral features NPN transistor High voltage capability Minimum lot-to-lot spread for reliable operation Very high switching speed3321 High ruggedness1 Surface-mounting DPAK (TO-252) power IPAK DPAKpackage in tape & reel (suffix T4) TO-251 TO-252 Through-hole IPAK (

 7.1. Size:276K  st
 buld39d-1.pdf pdf_icon

BULD39DT4

www.DataSheet4U.comBULD39D-1BULD39DT4High Voltage Fast-SwitchingNPN Power TransistorGeneral features NPN transistor High voltage capability Minimum lot-to-lot spread for reliable operation Very high switching speed3321 High ruggedness1 Surface-mounting DPAK (TO-252) power IPAK DPAKpackage in tape & reel (suffix T4) TO-251 TO-252

 9.1. Size:241K  st
 buld3n7t4.pdf pdf_icon

BULD39DT4

BULD3N7T4Medium voltage fast-switching NPN Power TransistorGeneral features Medium voltage capability Low spread of dynamic parameters Minimum lot-to-lot spread for reliable operation Very high switching speed3 In compliance with the 2002/93/EC European Directive1DPAKDescriptionThe device is manufactured using high voltageMulti-Epitaxial Planar technol

 9.2. Size:250K  st
 buld3p5t4.pdf pdf_icon

BULD39DT4

BULD3P5T4Medium voltage fast-switching PNP Power TransistorGeneral features Medium voltage capability Low spread of dynamic parameters Minimum lot-to-lot spread for reliable operation Very high switching speed3 In compliance with the 2002/93/EC European Directive1DPAKDescriptionThe device is manufactured using high voltageMulti-Epitaxial Planar technol

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SD1664R , BU406A8 , BU508B , BU508C , BU941A , BU941B , BU941ZTFP , BULD118D-1 , TIP3055 , BULK128D-B , BUL741FP , BUL742 , BUL743 , BUL98 , BUL1102EFP , BUL123S , BUL128D .

 

 
Back to Top

 


 
.