Справочник транзисторов. BUL72B

 

Биполярный транзистор BUL72B Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BUL72B
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 44 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: SOT223 LCC4
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BUL72B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:14K  semelab
 bul72b.pdf pdf_icon

BUL72B

BUL72BSEMELABADVANCEDMECHANICAL DATADISTRIBUTED BASE DESIGNDimensions in mmHIGH VOLTAGE0.320.24HIGH SPEED NPNSILICON POWER TRANSISTOR0.100.021613max.Designed for use in 1.70electronic ballast applicationsmax.10max. SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED DIE6.76.33.1 HIGH VOLTAGE2.9 FAST SWITCHING4 HIGH ENERGY RATING3.7 7.3

 ..2. Size:16K  semelab
 bul72b lcc4.pdf pdf_icon

BUL72B

BUL72B - LCC4SEMELABADVANCEDMECHANICAL DATADISTRIBUTED BASE DESIGNDimensions in mmHIGH VOLTAGEHIGH SPEED NPNSILICON POWER TRANSISTOR9.14 (0.360)1.27 (0.050) 8.64 (0.340)1.07 (0.040) 2.16 (0.085)12 13 14 15 161.39 (0.055)1.02 (0.040)11 17 SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED DIE10 187.62 (0.300)7.12 (0.280)9 1 HIGH VOLTAGE0.76 (0.030)8 20.51

 9.1. Size:200K  st
 bulb7216 bul7216.pdf pdf_icon

BUL72B

BULB7216BUL7216High voltage fast-switchingNPN power transistorFeatures Low spread of dynamic parameters High voltage capability Minimum lot-to-lot spread for reliable operation3231 Very high switching speed21I2PAKTO-220Applications Electronic ballast for fluorescent lighting (277 V 31push-pull and 347 V half bridge topoligies)D2PAKDes

 9.2. Size:14K  semelab
 bul72a.pdf pdf_icon

BUL72B

BUL72ASEMELABADVANCEDMECHANICAL DATADISTRIBUTED BASE DESIGNDimensions in mmHIGH VOLTAGE0.320.24HIGH SPEED NPNSILICON POWER TRANSISTOR0.100.021613max.Designed for use in 1.70electronic ballast applicationsmax.10max. SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED DIE6.76.33.1 HIGH VOLTAGE2.9 FAST SWITCHING4 HIGH ENERGY RATING3.7 7.3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: DTC015EEB | BF297W2 | BSX76 | BUL54BFI | 2N3509CSM | 2N926 | DTA114YET1G

 

 
Back to Top

 


 
.