Биполярный транзистор BUL53B-SM - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BUL53B-SM
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO276AB
Аналоги (замена) для BUL53B-SM
BUL53B-SM Datasheet (PDF)
bul53b-sm.pdf
BUL53BSMSEMELABADVANCED DISTRIBUTEDMECHANICAL DATABASE DESIGNHIGH VOLTAGE, HIGH SPEED NPNSILICON POWER TRANSISTOR CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FULL MIL/AEROSPACE TEMPERATURE11.52.0 RANGE0.253.5 3.5 3.0 SCREENING OPTIONS FOR MILITARY ANDSPACE APPLICATIONS SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED DIE1 3 HIGH VOLTAGE (VCBO = 800V) FAST SWITCHING (tf
bul53bsmd.pdf
BUL53BSMDADVANCED DISTRIBUTEDMECHANICAL DATABASE DESIGNDimensions in mmHIGH VOLTAGE, HIGH SPEED NPNSILICON POWER TRANSISTOR CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FULL MIL/AEROSPACE TEMPERATURERANGE SCREENING OPTIONS FOR MILITARY ANDSPACE APPLICATIONS SEMEFAB DESIGNED
bul53asmd.pdf
BUL53ASMDDimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 0.89(0.035)min.Ceramic Surface Mount 3.70 (0.146) 3.70 (0.146) 3.60 (0.142)3.41 (0.134) 3.41 (0.134) Max.Package for High Reliability Applications 1 3Bipolar NPN Device. 2VCEO = 300V IC = 10A 9.67 (0.381)All Semelab hermetically sealed products 9.38 (0.369)0.50 (0.020)0.26
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
