BUL58BSMD datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: BUL58BSMD 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 90 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 44 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Корпус транзистора: TO276AB
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для BUL58BSMD
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BUL58BSMD даташит
bul58bsmd.pdf
BUL58BSMD ADVANCED MECHANICAL DATA DISTRIBUTED BASE DESIGN Dimensions in mm HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING HIGH ENERGY RATING FEATURES Multi base for efficient energy distribution a
bul58d.pdf
BUL58D HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPE NPN TRANSISTOR HIGH VOLTAGE CAPABILITY LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR RELIABLE OPERATION LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS 3 VERY HIGH SWITCHING SPEED 2 FULLY CHARACTERISED AT 125oC 1 HIGH RUGGEDNESS INTEGRATED ANTIPARALLEL TO-220 COL
bul58asmd.pdf
BUL58ASMD Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 0.89 (0.035) min. Ceramic Surface Mount 3.70 (0.146) 3.70 (0.146) 3.60 (0.142) 3.41 (0.134) 3.41 (0.134) Max. Package for High Reliability Applications 1 3 Bipolar NPN Device. 2 VCEO = 160V IC = 10A 9.67 (0.381) All Semelab hermetically sealed products 9.38 (0.369) 0.50 (0.020) 0.26
Другие транзисторы: BUL5555, BUL55ASMD, BUL55BSMD, BUL56ASMD, BUL56BSMD, BUL57AN2A, BUL57AN2B, BUL58ASMD, D880, BUL62A, KA4A3Q, KA4A4L, KA4A4M, KA4A4P, KA4A4Z, KA4F3M, KA4F3P
History: 2SD963 | T1858
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
a1492 | hy4008 | ncep039n10m | 20n50 | 2sc869 | tip29 transistor equivalent | 2n555 | 2sa564a



