Биполярный транзистор BUL58BSMD - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BUL58BSMD
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 90 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 44 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO276AB
Аналоги (замена) для BUL58BSMD
BUL58BSMD Datasheet (PDF)
bul58bsmd.pdf
BUL58BSMDADVANCEDMECHANICAL DATADISTRIBUTED BASE DESIGNDimensions in mmHIGH VOLTAGEHIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED HIGH VOLTAGEFAST SWITCHINGHIGH ENERGY RATING FEATURES Multibase for efficient energy distributiona
bul58d.pdf
BUL58DHIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR STMicroelectronics PREFERREDSALESTYPE NPN TRANSISTOR HIGH VOLTAGE CAPABILITY LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FORRELIABLE OPERATION LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS 3 VERY HIGH SWITCHING SPEED 2 FULLY CHARACTERISED AT 125oC 1 HIGH RUGGEDNESS INTEGRATED ANTIPARALLELTO-220COL
bul58asmd.pdf
BUL58ASMDDimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 0.89(0.035)min.Ceramic Surface Mount 3.70 (0.146) 3.70 (0.146) 3.60 (0.142)3.41 (0.134) 3.41 (0.134) Max.Package for High Reliability Applications 1 3Bipolar NPN Device. 2VCEO = 160V IC = 10A 9.67 (0.381)All Semelab hermetically sealed products 9.38 (0.369)0.50 (0.020)0.26
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
