Справочник транзисторов. RN2108F

 

Биполярный транзистор RN2108F Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RN2108F
   Маркировка: XI_YI
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT490 SC81 ESM
 

 Аналог (замена) для RN2108F

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN2108F Datasheet (PDF)

 0.1. Size:162K  toshiba
rn2107fs rn2108fs rn2109fs.pdfpdf_icon

RN2108F

RN2107FS~RN2109FS TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2107FS,RN2108FS,RN2109FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mm Driver Circuit Applications Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts count enable the manufacture of ever more compact equip

 8.1. Size:177K  toshiba
rn2107 rn2108 rn2109.pdfpdf_icon

RN2108F

RN2107RN2109 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2107,RN2108,RN2109 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit: mmand Driver Circuit Applications With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1107~RN1109 Equivalent Circuit and Bias Resister Values T

 8.2. Size:194K  toshiba
rn2107mfv rn2108mfv rn2109mfv.pdfpdf_icon

RN2108F

RN2107MFVRN2109MFV TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2107MFV,RN2108MFV,RN2109MFV Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit: mm Ultra-small package, suited to very high density mounting 1.20.05 Incorporating a bias resistor into the transistor reduces the number of parts, so 0.80.05enabling the ma

Другие транзисторы... KCW29 , KCW30 , KCW31 , KCW32 , KCW33 , KCW61 , RN1972HFE , RN2107F , TIP31C , KMBT2222A , KMBT2222AT , KMBT2907 , KMBT2907A , KMBT2907AT , KMBT3904 , KMBT3904DW , KMBT3904T .

 

 
Back to Top

 


 
.