RN2108F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RN2108F  📄📄 

Маркировка: XI_YI

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT490 SC81 ESM

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для RN2108F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN2108F даташит

 0.1. Size:162K  toshiba
 rn2107fs rn2108fs rn2109fs.pdf pdf_icon

RN2108F

RN2107FS RN2109FS TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2107FS,RN2108FS,RN2109FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts count enable the manufacture of ever more compact equip

 8.1. Size:177K  toshiba
 rn2107 rn2108 rn2109.pdf pdf_icon

RN2108F

RN2107 RN2109 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2107,RN2108,RN2109 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit mm and Driver Circuit Applications With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1107 RN1109 Equivalent Circuit and Bias Resister Values T

 8.2. Size:194K  toshiba
 rn2107mfv rn2108mfv rn2109mfv.pdf pdf_icon

RN2108F

RN2107MFV RN2109MFV TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2107MFV,RN2108MFV,RN2109MFV Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit mm Ultra-small package, suited to very high density mounting 1.2 0.05 Incorporating a bias resistor into the transistor reduces the number of parts, so 0.8 0.05 enabling the ma

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KCW29, KCW30, KCW31, KCW32, KCW33, KCW61, RN1972HFE, RN2107F, A733, KMBT2222A, KMBT2222AT, KMBT2907, KMBT2907A, KMBT2907AT, KMBT3904, KMBT3904DW, KMBT3904T