Справочник транзисторов. KMBT3906T

 

Биполярный транзистор KMBT3906T - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: KMBT3906T
   Маркировка: 3N
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT523

 Аналоги (замена) для KMBT3906T

 

 

KMBT3906T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:647K  kexin
kmbt3906t.pdf

KMBT3906T
KMBT3906T

SMD Type TransistorsPNP TransistorsMMBT3906T (KMBT3906T)SOT-523 U nit: m m+0.11.6 -0.1+0.11.0 -0.1+0.050.2 -0.05 0.150.05 Features Epitaxial Planar Die Construction2 1 Also Available in Lead Free Version Complementary to MMBT3904T30.30.05+0.10.5-0.11. Base2. Emitter3. Collecter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter S

 6.1. Size:153K  tysemi
kmbt3906.pdf

KMBT3906T
KMBT3906T

Product specificationKMBT3906(MMBT3906)SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4-0.13FeaturesEpitaxial planar die construction12+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector- Base Voltage VCBO -40 VCollector - Emitter Voltage VCEO -40 VEmitter - Base Voltage VEBO -5 VC

 6.2. Size:71K  kexin
kmbt3906.pdf

KMBT3906T
KMBT3906T

SMD Type TransistorsPNP TransistorsKMBT3906(MMBT3906)SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4-0.13FeaturesEpitaxial planar die construction12+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector- Base Voltage VCBO -40 VCollector - Emitter Voltage VCEO -40 VEmitter - Base Volt

 6.3. Size:792K  kexin
kmbt3906dw.pdf

KMBT3906T

SMD Type TransistorsPNP TransistorsMMBT3906DW (KMBT3906DW) Features Epitaxial planar die construction Ideal for low power amplification and switching Dual PNP Transistors Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -40 Collector - Emitter Voltage VCEO -40 V Emitter - Base Voltage VEBO -5 Collector Curren

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top