Справочник транзисторов. 2DB1182Q

 

Биполярный транзистор 2DB1182Q - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2DB1182Q
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 110 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 26 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: TO252

 Аналоги (замена) для 2DB1182Q

 

 

2DB1182Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:108K  diodes
2db1182q.pdf

2DB1182Q
2DB1182Q

2DB1182Q32V PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR IN TO252 Features Mechanical Data Epitaxial Planar Die Construction Case: TO252 Low Collector-Emitter Saturation Voltage Case Material: Molded Plastic, "Green" Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Ideally Suited for Automated Assembly Processes Ideal for Medium Power Switching or Amplification

 8.1. Size:229K  diodes
2db1188p-q-r.pdf

2DB1182Q
2DB1182Q

2DB1188P/Q/R PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction Complementary NPN Type Available (2DD1766) Ideally Suited for Automated Assembly Processes Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) "Green" Device (Note 2) SOT89-3L Mechanical Data Case: SOT89-3L

 8.2. Size:172K  diodes
2db1184q.pdf

2DB1182Q
2DB1182Q

2DB1184QPNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Epitaxial Planar Die Construction Case: TO252-3L Low Collector-Emitter Saturation Voltage Case Material: Molded Plastic, "Green" Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Ideally Suited for Automated Assembly Processes

 8.3. Size:282K  diodes
2db1188p 2db1188q 2db1188r.pdf

2DB1182Q
2DB1182Q

2DB1188P/Q/R32V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89 Features Mechanical Data BVCEO > -32V Case: SOT89 IC = -2A high Continuous Current Case material: Molded Plastic, "Green" Molding Compound. Low saturation voltage VCE(sat)

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top