Справочник транзисторов. 2DI100Z-100

 

Биполярный транзистор 2DI100Z-100 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2DI100Z-100
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 800 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 100 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: M210

 Аналоги (замена) для 2DI100Z-100

 

 

2DI100Z-100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:108K  fuji
2di100z-100.pdf

2DI100Z-100

 5.1. Size:109K  fuji
2di100z-120.pdf

2DI100Z-100

 8.1. Size:408K  fuji
2di100a-120.pdf

2DI100Z-100
2DI100Z-100

FUJI POWER TRANSISTOR MODULE2DI100A-120 (100A):Outline Drawings::::POWER TRANSISTOR MODULEPOWER TRANS

 8.2. Size:96K  fuji
2di100d-050.pdf

2DI100Z-100

 8.3. Size:348K  fuji
2di100d-100.pdf

2DI100Z-100
2DI100Z-100

FUJI POWER TRANSISTOR MODULE2DI100D-100 (100A):Outline Drawings::::POWER TRANSISTOR MODULEPOWER TRANS

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top