Биполярный транзистор 2DI200D-100 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2DI200D-100
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1200 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: M207
Аналоги (замена) для 2DI200D-100
2DI200D-100 Datasheet (PDF)
1.1. 2di200d-100.pdf 
Size:98K _fuji
4.1. 2di200a-050.pdf Size:195K _fuji
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
