2DI200D-100 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2DI200D-100  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1200 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: M207

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2DI200D-100

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2DI200D-100 даташит

 ..1. Size:98K  fuji
 2di200d-100.pdf pdf_icon

2DI200D-100

 8.1. Size:195K  fuji
 2di200a-050.pdf pdf_icon

2DI200D-100

Другие транзисторы: 2DI100Z-100, 2DI100Z-120, 2DI150A-120, 2DI150D-050, 2DI150D-100, 2DI150Z-100, 2DI150Z-120, 2DI200A-050, 2SA1015, RN4993HFE, EMT1DXV6, 2DI50A-120, 2DI50D-050A, 2DI50D-100, 2DI50M-050, 2DI50M-120, 2DI50Z-100