Справочник транзисторов. HN4B101J

 

Биполярный транзистор HN4B101J Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HN4B101J
   Маркировка: 5K
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN*PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.55 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT25
 

 Аналог (замена) для HN4B101J

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HN4B101J Datasheet (PDF)

 ..1. Size:222K  toshiba
 hn4b101j.pdf pdf_icon

HN4B101J

HN4B101J TOSHIBA Transistor Silicon PNP / NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN4B101J MOS Gate Drive Applications Unit: mmSwitching Applications +0.2+0.22.8 -0.32.8 -0.3+0.2+0.21.6 -0.11.6 -0.1 Small footprint due to a small and thin package 1 5 High DC current gain : hFE = 200 to 500 (IC = -0.12 A) 1 5 Low collector-emitter satu

 ..2. Size:223K  toshiba
 hn4b101j .pdf pdf_icon

HN4B101J

HN4B101J TOSHIBA Transistor Silicon PNP / NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN4B101J MOS Gate Drive Applications Unit: mmSwitching Applications +0.2+0.22.8 -0.32.8 -0.3+0.2+0.21.6 -0.11.6 -0.1 Small footprint due to a small and thin package 1 5 High DC current gain : hFE = 200 to 500 (IC = -0.12 A) 1 5 Low collector-emitter satu

 8.1. Size:219K  toshiba
 hn4b102j .pdf pdf_icon

HN4B101J

HN4B102J TOSHIBA Transistor Silicon PNP / NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN4B102J MOS Gate Drive Applications Unit: mmSwitching Applications +0.2+0.22.8 -0.32.8 -0.3 Small footprint due to a small and thin package +0.2+0.21.6 -0.11.6 -0.1 High DC current gain : PNP hFE = 200 to 500 (IC =0.2 A) : NPN hFE = 200 to 500 (IC = 0.2 A)

 8.2. Size:217K  toshiba
 hn4b102j.pdf pdf_icon

HN4B101J

HN4B102J TOSHIBA Transistor Silicon PNP / NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN4B102J MOS Gate Drive Applications Unit: mmSwitching Applications +0.2+0.22.8 -0.32.8 -0.3 Small footprint due to a small and thin package +0.2+0.21.6 -0.11.6 -0.1 High DC current gain : PNP hFE = 200 to 500 (IC =0.2 A) : NPN hFE = 200 to 500 (IC = 0.2 A)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... INC1001AC1 , INC2001AC1 , INC2001AM1 , INC2001AU1 , HIT1577 , HLB121 , HN1B01FDW1T1G , HN2E04F , 2SD1047 , HN4B102J , HQ1A3M , HQ1A4A , HQ1F2Q , HQ1F3M , HQ1F3P , HQ1L2N , HQ1L2Q .

History: 2SA2014 | KRA552U | 2SC3959 | BFY67 | BFT95 | BCW65 | 2SC2787MF

 

 
Back to Top

 


 
.