HN4B102J. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HN4B102J

Маркировка: 5L

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT25

 Аналоги (замена) для HN4B102J

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HN4B102J даташит

 ..1. Size:219K  toshiba
 hn4b102j .pdf pdf_icon

HN4B102J

HN4B102J TOSHIBA Transistor Silicon PNP / NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN4B102J MOS Gate Drive Applications Unit mm Switching Applications +0.2 +0.2 2.8 -0.3 2.8 -0.3 Small footprint due to a small and thin package +0.2 +0.2 1.6 -0.1 1.6 -0.1 High DC current gain PNP hFE = 200 to 500 (IC = 0.2 A) NPN hFE = 200 to 500 (IC = 0.2 A)

 ..2. Size:217K  toshiba
 hn4b102j.pdf pdf_icon

HN4B102J

HN4B102J TOSHIBA Transistor Silicon PNP / NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN4B102J MOS Gate Drive Applications Unit mm Switching Applications +0.2 +0.2 2.8 -0.3 2.8 -0.3 Small footprint due to a small and thin package +0.2 +0.2 1.6 -0.1 1.6 -0.1 High DC current gain PNP hFE = 200 to 500 (IC = 0.2 A) NPN hFE = 200 to 500 (IC = 0.2 A)

 8.1. Size:222K  toshiba
 hn4b101j.pdf pdf_icon

HN4B102J

HN4B101J TOSHIBA Transistor Silicon PNP / NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN4B101J MOS Gate Drive Applications Unit mm Switching Applications +0.2 +0.2 2.8 -0.3 2.8 -0.3 +0.2 +0.2 1.6 -0.1 1.6 -0.1 Small footprint due to a small and thin package 1 5 High DC current gain hFE = 200 to 500 (IC = -0.12 A) 1 5 Low collector-emitter satu

 8.2. Size:223K  toshiba
 hn4b101j .pdf pdf_icon

HN4B102J

HN4B101J TOSHIBA Transistor Silicon PNP / NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN4B101J MOS Gate Drive Applications Unit mm Switching Applications +0.2 +0.2 2.8 -0.3 2.8 -0.3 +0.2 +0.2 1.6 -0.1 1.6 -0.1 Small footprint due to a small and thin package 1 5 High DC current gain hFE = 200 to 500 (IC = -0.12 A) 1 5 Low collector-emitter satu

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: INC2001AC1, INC2001AM1, INC2001AU1, HIT1577, HLB121, HN1B01FDW1T1G, HN2E04F, HN4B101J, 2SD718, HQ1A3M, HQ1A4A, HQ1F2Q, HQ1F3M, HQ1F3P, HQ1L2N, HQ1L2Q, HR1A3M