Справочник транзисторов. ISC6053AM1

 

Биполярный транзистор ISC6053AM1 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: ISC6053AM1
   Маркировка: BE_BF_BG
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.65 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 290 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
   Корпус транзистора: SOT323

 Аналоги (замена) для ISC6053AM1

 

 

ISC6053AM1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:152K  isahaya
isc6053am1.pdf

ISC6053AM1
ISC6053AM1

ISC6053AM1FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATIONSILICON NPN EPITAXIAL TYPEUnitmmOUTLINE DRAWING DESCRIPTION 2.1 ISC6053AM1 is a silicon NPN epitaxial type transistor 0.425 1.25 0.425 Designed with high collector current, low VCE(sat). FEATURE High collector current ICMAX=650mA Low collector to emitter saturation voltage VCE

 6.1. Size:189K  isahaya
isc6053au1.pdf

ISC6053AM1
ISC6053AM1

ISC6053AU1PRELIMINARY This datasheet is possibility of change. FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATIONBecause this device is developing now. SILICON NPN EPITAXIAL TYPEUnitmmOUTLINE DRAWING DESCRIPTION 1.5 ISC6053AU1 is a silicon NPN epitaxial type transistor 0.35 0.8 0.35Designed with high collector current, low VCE(sat). FEATURE

 9.1. Size:140K  isahaya
isc6046au1.pdf

ISC6053AM1
ISC6053AM1

ISC6046AU1PRELIMINARY This datasheet is possibility of change. FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATIONBecause this device is developing now. SILICON NPN EPITAXIAL TYPEUnitmmOUTLINE DRAWING DESCRIPTION 1.5 ISC6046AU1 is a silicon NPN epitaxial type transistor designed with 0.35 0.8 0.35high collector current, low VCEsat. FEATURE

 9.2. Size:330K  inchange semiconductor
isc60nm60l.pdf

ISC6053AM1
ISC6053AM1

isc N-Channel MOSFET Transistor ISC60NM60LFEATURESDrain Current : I = 60A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 65m(Max) @V =10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand soleno

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top