ISD1447AS1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ISD1447AS1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 55

Корпус транзистора: SC72

 Аналоги (замена) для ISD1447AS1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ISD1447AS1 даташит

 ..1. Size:235K  isahaya
 isd1447as1.pdf pdf_icon

ISD1447AS1

SMALL-SIGNAL TRANSISTOR ISD1447AS1 FOR LOW FREQUENCY POWOR AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit ISD1447AS1 is a silicon NPN epitaxial type transistor designed 4.0 for 2 to 3.5W output low frequency power amplify application. Complementary with ISB1035AS1. FEATURE 0.1 High collector current. ICM= 1.5A High

Другие транзисторы: KZT849, KZT851, KZT853, ISC3581AS1, ISC4356AS1, ISC6046AU1, ISC6053AM1, ISC6053AU1, 9014, IT120, IT120A, ISC3242AS1, ISC3244AS1, ISC3247AS1, ISC3249AS1, KZT3906, KZT4401