Справочник транзисторов. ISD1447AS1

 

Биполярный транзистор ISD1447AS1 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: ISD1447AS1
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 55
   Корпус транзистора: SC72
 

 Аналог (замена) для ISD1447AS1

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ISD1447AS1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:235K  isahaya
 isd1447as1.pdf pdf_icon

ISD1447AS1

SMALL-SIGNAL TRANSISTOR ISD1447AS1 FOR LOW FREQUENCY POWOR AMPLIFY APPLICATIONSILICON NPN EPITAXIAL TYPEDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit ISD1447AS1 is a silicon NPN epitaxial type transistor designed 4.0 for 2 to 3.5W output low frequency power amplify application. Complementary with ISB1035AS1. FEATURE 0.1 High collector current. ICM= 1.5A High

Другие транзисторы... KZT849 , KZT851 , KZT853 , ISC3581AS1 , ISC4356AS1 , ISC6046AU1 , ISC6053AM1 , ISC6053AU1 , C3198 , IT120 , IT120A , ISC3242AS1 , ISC3244AS1 , ISC3247AS1 , ISC3249AS1 , KZT3906 , KZT4401 .

History: 2SC4526 | BD743B | NB212EI | BD258-100 | TI813

 

 
Back to Top

 


 
.