ISD1447AS1 Todos los transistores

 

ISD1447AS1 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ISD1447AS1
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 55
   Paquete / Cubierta: SC72
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

ISD1447AS1 Datasheet (PDF)

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ISD1447AS1

SMALL-SIGNAL TRANSISTOR ISD1447AS1 FOR LOW FREQUENCY POWOR AMPLIFY APPLICATIONSILICON NPN EPITAXIAL TYPEDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit ISD1447AS1 is a silicon NPN epitaxial type transistor designed 4.0 for 2 to 3.5W output low frequency power amplify application. Complementary with ISB1035AS1. FEATURE 0.1 High collector current. ICM= 1.5A High

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History: 2SD1445

 

 
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