Справочник транзисторов. IMD10AMT1G

 

Биполярный транзистор IMD10AMT1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: IMD10AMT1G
   Маркировка: D10
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 13 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 0 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.285 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 68
   Корпус транзистора: SC74

 Аналоги (замена) для IMD10AMT1G

 

 

IMD10AMT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  onsemi
imd10amt1g.pdf

IMD10AMT1G
IMD10AMT1G

IMD10AMT1GDual Bias ResistorTransistorNPN and PNP Silicon Surface MountTransistors with Monolithic Bias Resistorhttp://onsemi.comNetwork High Current: IC = 500 mA max(3) (2) (1) This is a Pb-Free DeviceMAXIMUM RATINGS (TA = 25C)R1Q1Rating Symbol Value UnitQ2Collector-Base Voltage V(BR)CBO 50 VdcR2Collector-Emitter Voltage V(BR)CEO 50 VdcR1Emitter-Ba

 8.1. Size:79K  rohm
imd10a.pdf

IMD10AMT1G
IMD10AMT1G

IMD10A Transistors Power management (dual digital transistors) IMD10A Dimensions (Unit : mm) Features 1) Two digital class transistors in a SMT package. 2) Up to 500mA can be driven. 3) Low VCE(sat) of drive transistors for low power (4) (5) (6)dissipation. (3) (2) (1)ROHM : SMT6EIAJ : SC-74Each lead has same dimensions Package, marking, and packaging specification

 8.2. Size:87K  diodes
dimd10a.pdf

IMD10AMT1G
IMD10AMT1G

DIMD10ADUAL PRE-BIASED TRANSISTORS FOR POWER MANAGEMENT Features Mechanical Data Epitaxial Planar Die Construction Case: SC-74R Built-In Biasing Resistors Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 One 500mA PNP and One 100mA NPN Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Lead Free/RoHS Com

 8.3. Size:240K  diodes
mimd10a.pdf

IMD10AMT1G
IMD10AMT1G

MIMD10AMIMD10A DUAL PRE-BIASED TRANSISTORS FOR POWER MANAGEMENT Features Epitaxial Planar Die Construction ASOT-363 Built-In Biasing Resistors Dim Min Max C2 B1 E1 One 500mA PNP and One 100mA NPN A 0.10 0.30 Lead Free/RoHS Compliant (Note 1) B C B 1.15 1.35 "Green" Device (Note 3 and 4) C 2.00 2.20 E2 B2 C1D 0.65 Nominal Mechanical Data

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: 2N6262

 

 
Back to Top