IMH11AFRA - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

IMH11AFRA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IMH11AFRA
   Маркировка: H11
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SC74

 Аналоги (замена) для IMH11AFRA

 

IMH11AFRA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1336K  rohm
emh11fha umh11nfha imh11afra.pdfpdf_icon

IMH11AFRA

EMH11 / UMH11N / IMH11A EMH11FHA / UMH11NFHA / IMH11AFRA Datasheet NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) VCC (5) 50V (4) (4) (1) (1) IC(MAX.) (2) 100mA (2) (3) (3) R1 10kW EMH11 UMH11N EMH11FHA UMH11NFHA R2 10kW (SC-107C) SOT-353 (SC-88)

 8.1. Size:69K  rohm
emh11 umh11n imh11a.pdfpdf_icon

IMH11AFRA

EMH11 / UMH11N / IMH11A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMH11 / UMH11N / IMH11A External dimensions (Unit mm) Features 1) Two DTC114E chips in a EMT or UMT or SMT EMH11 package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 (4) (3) (5) (2) (6) (1) automatic mounting machines. 1.2 1.6 3) Transistor elements are independent, eliminating interf

 8.2. Size:62K  rohm
umh11n imh11a h11 sot23-6sot363.pdfpdf_icon

IMH11AFRA

Transistors General purpose (dual digital transistors ) UMH11N / IMH11A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Two DTC114E chips in a UMT or SMT package. 2) Mounting possible with UMT3 or SMT3 automatic mounting ma- chines. 3) Transistor elements are indepen- dent, eliminating interference. 4) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Epitaxial planar type NPN

 9.1. Size:120K  chenmko
chimh11gp.pdfpdf_icon

IMH11AFRA

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHIMH11GP SURFACE MOUNT Dual Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 50 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SC-74/SOT-457) SC-74/SOT-457 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. (4) * High saturatio

Другие транзисторы... ISB1035AS1 , IMB2AFRA , IMB3AFRA , IMD10AMT1G , IMD2AFRA , IMD3AFRA , IMD6AFRA , IMD9AFRA , 2SC5200 , IMH14AFRA , IMH15A , IMH15AFRA , IMH1AFRA , IMH20TR1G , IMH21 , IMH23 , IMH2AFRA .

History: INA5008AH1 | BDX28

 

 
Back to Top

 


 
.