INA5002AP1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: INA5002AP1  📄📄 

Маркировка: BA

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT89

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для INA5002AP1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

INA5002AP1 даташит

 ..1. Size:128K  isahaya
 ina5002ap1.pdf pdf_icon

INA5002AP1

INA5002AP1 For low frequency power amplify Silicon PNP Epitaxial DESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNIT INA5002AP1 is a silicon PNP epitaxial transistor designed for relay 4.6 MAX drive or Power supply application. 1.5 1.6 FEATURE Small package for easy mounting. High voltage VCEO=-60V C E B High collector current IC=-3A Low VCE(sat) VCE sat =-0.6

 6.1. Size:232K  isahaya
 ina5002ac1.pdf pdf_icon

INA5002AP1

INA5002AC1 PRELIMINARY Notice This is not a final specification FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION Some parametric are subject to change. SILICON PNP EPITAXIAL TYPE DESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNIT mm 2.8 INA5002AC1 is a silicon PNP epitaxial transistor designed for 0.65 1.5 0.65 relay drive or Power supply application. FEATURE Super mini package for

 8.1. Size:106K  isahaya
 ina5005ac1.pdf pdf_icon

INA5002AP1

INA5005AC1 PRELIMINARY Notice This is not a final specification FOR HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION Some parametric are subject to change. SILICON PNP EPITAXIAL TYPE DESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNIT mm 2.8 INA5005AC1 is a silicon PNP epitaxial type transistor. 0.65 1.5 0.65 It is designed with high collector current and small VCE(sat). FEATURE Super mini pack

 8.2. Size:132K  isahaya
 ina5006ac1.pdf pdf_icon

INA5002AP1

INA5006AC1 PRELIMINARY Notice This is not a final specification FOR HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION Some parametric are subject to change. SILICON PNP EPITAXIAL TYPE DESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNIT mm 2.8 INA5006AC1 is a silicon PNP epitaxial type transistor. 0.65 1.5 0.65 It is designed with high collector current and small VCE(sat). FEATURE Super mini pack

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: IMZ88, KRC152F, KRC157F, KRC158F, KTA1050, INA5001AC1, INA5001AP1, INA5002AC1, 2SD313, INA5005AC1, INA5006AC1, INA5008AH1, INC2002AC1, INC2002AM1, INC2002AU1, KZT1053A, KZT1149A