INA5002AP1 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

INA5002AP1 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: INA5002AP1
   Маркировка: BA
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для INA5002AP1

 

INA5002AP1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:128K  isahaya
ina5002ap1.pdfpdf_icon

INA5002AP1

INA5002AP1 For low frequency power amplify Silicon PNP Epitaxial DESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNIT INA5002AP1 is a silicon PNP epitaxial transistor designed for relay 4.6 MAX drive or Power supply application. 1.5 1.6 FEATURE Small package for easy mounting. High voltage VCEO=-60V C E B High collector current IC=-3A Low VCE(sat) VCE sat =-0.6

 6.1. Size:232K  isahaya
ina5002ac1.pdfpdf_icon

INA5002AP1

INA5002AC1 PRELIMINARY Notice This is not a final specification FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION Some parametric are subject to change. SILICON PNP EPITAXIAL TYPE DESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNIT mm 2.8 INA5002AC1 is a silicon PNP epitaxial transistor designed for 0.65 1.5 0.65 relay drive or Power supply application. FEATURE Super mini package for

 8.1. Size:106K  isahaya
ina5005ac1.pdfpdf_icon

INA5002AP1

INA5005AC1 PRELIMINARY Notice This is not a final specification FOR HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION Some parametric are subject to change. SILICON PNP EPITAXIAL TYPE DESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNIT mm 2.8 INA5005AC1 is a silicon PNP epitaxial type transistor. 0.65 1.5 0.65 It is designed with high collector current and small VCE(sat). FEATURE Super mini pack

 8.2. Size:132K  isahaya
ina5006ac1.pdfpdf_icon

INA5002AP1

INA5006AC1 PRELIMINARY Notice This is not a final specification FOR HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION Some parametric are subject to change. SILICON PNP EPITAXIAL TYPE DESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNIT mm 2.8 INA5006AC1 is a silicon PNP epitaxial type transistor. 0.65 1.5 0.65 It is designed with high collector current and small VCE(sat). FEATURE Super mini pack

Другие транзисторы... IMZ88 , KRC152F , KRC157F , KRC158F , KTA1050 , INA5001AC1 , INA5001AP1 , INA5002AC1 , 2SD313 , INA5005AC1 , INA5006AC1 , INA5008AH1 , INC2002AC1 , INC2002AM1 , INC2002AU1 , KZT1053A , KZT1149A .

History: AC251 | 2N3999 | BFX48CSM | 2N2001 | 2SC4189

 

 
Back to Top

 


 
.