Справочник транзисторов. INA5002AP1

 

Биполярный транзистор INA5002AP1 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: INA5002AP1
   Маркировка: BA
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT89
 

 Аналог (замена) для INA5002AP1

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

INA5002AP1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:128K  isahaya
 ina5002ap1.pdf pdf_icon

INA5002AP1

INA5002AP1 For low frequency power amplify Silicon PNP EpitaxialDESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNIT INA5002AP1 is a silicon PNP epitaxial transistor designed for relay 4.6 MAXdrive or Power supply application. 1.51.6FEATURE Small package for easy mounting. High voltage VCEO=-60V CE BHigh collector current IC=-3A Low VCE(sat) VCEsat=-0.6

 6.1. Size:232K  isahaya
 ina5002ac1.pdf pdf_icon

INA5002AP1

INA5002AC1 PRELIMINARY NoticeThis is not a final specification FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION Some parametric are subject to change. SILICON PNP EPITAXIAL TYPE DESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNITmm 2.8 INA5002AC1 is a silicon PNP epitaxial transistor designed for 0.65 1.5 0.65 relay drive or Power supply application. FEATURE Super mini package for

 8.1. Size:106K  isahaya
 ina5005ac1.pdf pdf_icon

INA5002AP1

INA5005AC1PRELIMINARY NoticeThis is not a final specification FOR HIGH CURRENT DRIVE APPLICATIONSome parametric are subject to change. SILICON PNP EPITAXIAL TYPEDESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNITmm 2.8 INA5005AC1 is a silicon PNP epitaxial type transistor. 0.65 1.5 0.65 It is designed with high collector current and small VCE(sat). FEATURE Super mini pack

 8.2. Size:132K  isahaya
 ina5006ac1.pdf pdf_icon

INA5002AP1

INA5006AC1PRELIMINARY NoticeThis is not a final specification FOR HIGH CURRENT DRIVE APPLICATIONSome parametric are subject to change. SILICON PNP EPITAXIAL TYPEDESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNITmm 2.8 INA5006AC1 is a silicon PNP epitaxial type transistor. 0.65 1.5 0.65 It is designed with high collector current and small VCE(sat). FEATURE Super mini pack

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... IMZ88 , KRC152F , KRC157F , KRC158F , KTA1050 , INA5001AC1 , INA5001AP1 , INA5002AC1 , BC558 , INA5005AC1 , INA5006AC1 , INA5008AH1 , INC2002AC1 , INC2002AM1 , INC2002AU1 , KZT1053A , KZT1149A .

History: CMST2907A | RT2N15M | MPS834 | 3DD511 | MJE13005DQ5

 

 
Back to Top

 


 
.