Биполярный транзистор TPC6901 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: TPC6901
Маркировка: H6A
Тип материала: Si
Полярность: NPN*PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.33 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 125
Корпус транзистора: SOT457
Аналог (замена) для TPC6901
TPC6901 Datasheet (PDF)
tpc6901.pdf

TPC6901 TOSHIBA Multi-Chip Transistor Silicon NPN & PNP Epitaxial Type TPC6901 High-Speed Switching Applications Unit: mmMOS Gate Drive Applications NPN and PNP transistors are mounted on a compact and slim package. High DC current gain: NPN hFE = 400 to 1000 : PNP hFE = 200 to 500 Low collector-emitter saturation voltage : NPN VCE (sat) = 0.17 V (max) : P
tpc6901a.pdf

TPC6901A TOSHIBA Multi-Chip Transistor Silicon NPN / PNP Epitaxial Type TPC6901A High-Speed Switching Applications Unit: mmMOS Gate Drive Applications NPN and PNP transistors are mounted on a compact and slim package. High DC current gain : NPN hFE = 400 to 1000 : PNP hFE = 200 to 500 Low collector-emitter saturation voltage : NPN VCE (sat) = 0.17 V (max) :
tpc6901a .pdf

TPC6901A TOSHIBA Multi-Chip Transistor Silicon NPN / PNP Epitaxial Type TPC6901A High-Speed Switching Applications Unit: mmMOS Gate Drive Applications NPN and PNP transistors are mounted on a compact and slim package. High DC current gain : NPN hFE = 400 to 1000 : PNP hFE = 200 to 500 Low collector-emitter saturation voltage : NPN VCE (sat) = 0.17 V (max) :
tpc6902 .pdf

TPC6902 TOSHIBA Multi-Chip Transistor Silicon NPN / PNP Epitaxial Type TPC6902 High-Speed Switching Applications Unit: mmMOS Gate Drive Applications NPN and PNP transistors are mounted on a compact and slim package. High DC current gain : NPN hFE = 200 to 500 (IC = 0.2 A) : PNP hFE = 200 to 500 (IC = -0.2 A) Low collector-emitter saturation voltage : NPN VCE (sat) = 0.14
Другие транзисторы... KTC3205-O , KTC3205-Y , KTC3880LT1 , TPA2029NND03 , TPA2030NND03 , TPC2715NND03 , TPC5658NND03 , TPC5663NND03 , S8050 , TPC6901A , TPC6902 , TPCP8902 , TPCP8F01 , TPCP8G01 , KTC3875-GR , KTC3875LT1 , KTC3875-Y .



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
ksa992 transistor | 2n2926 | ksa992 pinout | 2n1308 transistor | p609 | bc327-40 | tip125 | a992 transistor