TPC6901. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TPC6901

Маркировка: H6A

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.33 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 125

Корпус транзистора: SOT457

 Аналоги (замена) для TPC6901

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TPC6901 даташит

 ..1. Size:205K  toshiba
 tpc6901.pdf pdf_icon

TPC6901

TPC6901 TOSHIBA Multi-Chip Transistor Silicon NPN & PNP Epitaxial Type TPC6901 High-Speed Switching Applications Unit mm MOS Gate Drive Applications NPN and PNP transistors are mounted on a compact and slim package. High DC current gain NPN hFE = 400 to 1000 PNP hFE = 200 to 500 Low collector-emitter saturation voltage NPN VCE (sat) = 0.17 V (max) P

 0.1. Size:225K  toshiba
 tpc6901a.pdf pdf_icon

TPC6901

TPC6901A TOSHIBA Multi-Chip Transistor Silicon NPN / PNP Epitaxial Type TPC6901A High-Speed Switching Applications Unit mm MOS Gate Drive Applications NPN and PNP transistors are mounted on a compact and slim package. High DC current gain NPN hFE = 400 to 1000 PNP hFE = 200 to 500 Low collector-emitter saturation voltage NPN VCE (sat) = 0.17 V (max)

 0.2. Size:226K  toshiba
 tpc6901a .pdf pdf_icon

TPC6901

TPC6901A TOSHIBA Multi-Chip Transistor Silicon NPN / PNP Epitaxial Type TPC6901A High-Speed Switching Applications Unit mm MOS Gate Drive Applications NPN and PNP transistors are mounted on a compact and slim package. High DC current gain NPN hFE = 400 to 1000 PNP hFE = 200 to 500 Low collector-emitter saturation voltage NPN VCE (sat) = 0.17 V (max)

 8.1. Size:197K  toshiba
 tpc6902 .pdf pdf_icon

TPC6901

TPC6902 TOSHIBA Multi-Chip Transistor Silicon NPN / PNP Epitaxial Type TPC6902 High-Speed Switching Applications Unit mm MOS Gate Drive Applications NPN and PNP transistors are mounted on a compact and slim package. High DC current gain NPN hFE = 200 to 500 (IC = 0.2 A) PNP hFE = 200 to 500 (IC = -0.2 A) Low collector-emitter saturation voltage NPN VCE (sat) = 0.14

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KTC3205-O, KTC3205-Y, KTC3880LT1, TPA2029NND03, TPA2030NND03, TPC2715NND03, TPC5658NND03, TPC5663NND03, 13003, TPC6901A, TPC6902, TPCP8902, TPCP8F01, TPCP8G01, KTC3875-GR, KTC3875LT1, KTC3875-Y