Справочник транзисторов. TTC011B

 

Биполярный транзистор TTC011B Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: TTC011B
   Маркировка: C011B
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 230 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 230 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO126N
 

 Аналог (замена) для TTC011B

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TTC011B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:603K  toshiba
 ttc011b.pdf pdf_icon

TTC011B

TTC011B NPNTTC011BTTC011BTTC011BTTC011B1. 1. 1. 1. 2. 2. 2. 2. (1) : VCEO = 230 V ()(2) : Cob = 20 pF ()(3)

 8.1. Size:171K  toshiba
 ttc011.pdf pdf_icon

TTC011B

TTC011Bipolar Transistors Silicon NPN Triple-Diffused TypeTTC011TTC011TTC011TTC0111. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Voltage Switching LCD Backlighting2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High collector breakdown voltage: VCEO = 230 V(2) High DC current gain: hFE = 100 to 320 (IC = 0.2 A)3. Packaging and Interna

 9.1. Size:184K  toshiba
 ttc012.pdf pdf_icon

TTC011B

TTC012Bipolar Transistors Silicon NPN Triple-Diffused TypeTTC012TTC012TTC012TTC0121. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Speed High-Voltage Switching Switching Voltage Regulators High-Speed DC-DC Converters2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High speed switching : tf = 0.15 s (typ.) (IC = 0.5 A)(2) High collec

 9.2. Size:223K  toshiba
 ttc015b.pdf pdf_icon

TTC011B

TTC015BBipolar Transistors Silicon NPN Epitaxial TypeTTC015BTTC015BTTC015BTTC015B1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Power Amplifiers Power Switching2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High DC current gain : hFE = 100 to 200 (IC = 0.5 A)(2) Low collector emitter saturation voltage : VCE(sat) = 0.5 V (max) (IC = 1A)(3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... TFH1036 , TFH1037 , TFH2411 , TFH2412 , TFH2444 , TFH45 , TFJD1760 , TTC004B , 2SC2655 , TTC014 , TTC015B , TTC016 , TTC017 , TTC3710B , TTC5460B , TTD1409B , TTD1410B .

 

 
Back to Top

 


 
.