TTC011B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TTC011B

Маркировка: C011B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 230 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 230 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO126N

 Аналоги (замена) для TTC011B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TTC011B даташит

 ..1. Size:603K  toshiba
 ttc011b.pdf pdf_icon

TTC011B

TTC011B NPN TTC011B TTC011B TTC011B TTC011B 1. 1. 1. 1. 2. 2. 2. 2. (1) VCEO = 230 V ( ) (2) Cob = 20 pF ( ) (3)

 8.1. Size:171K  toshiba
 ttc011.pdf pdf_icon

TTC011B

TTC011 Bipolar Transistors Silicon NPN Triple-Diffused Type TTC011 TTC011 TTC011 TTC011 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications High-Voltage Switching LCD Backlighting 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) High collector breakdown voltage VCEO = 230 V (2) High DC current gain hFE = 100 to 320 (IC = 0.2 A) 3. Packaging and Interna

 9.1. Size:184K  toshiba
 ttc012.pdf pdf_icon

TTC011B

TTC012 Bipolar Transistors Silicon NPN Triple-Diffused Type TTC012 TTC012 TTC012 TTC012 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications High-Speed High-Voltage Switching Switching Voltage Regulators High-Speed DC-DC Converters 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) High speed switching tf = 0.15 s (typ.) (IC = 0.5 A) (2) High collec

 9.2. Size:223K  toshiba
 ttc015b.pdf pdf_icon

TTC011B

TTC015B Bipolar Transistors Silicon NPN Epitaxial Type TTC015B TTC015B TTC015B TTC015B 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Power Amplifiers Power Switching 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) High DC current gain hFE = 100 to 200 (IC = 0.5 A) (2) Low collector emitter saturation voltage VCE(sat) = 0.5 V (max) (IC = 1A) (3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: TFH1036, TFH1037, TFH2411, TFH2412, TFH2444, TFH45, TFJD1760, TTC004B, 2SC945, TTC014, TTC015B, TTC016, TTC017, TTC3710B, TTC5460B, TTD1409B, TTD1410B