TTD1409B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TTD1409B

Маркировка: D1409B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO220SIS

 Аналоги (замена) для TTD1409B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TTD1409B даташит

 ..1. Size:172K  toshiba
 ttd1409b.pdf pdf_icon

TTD1409B

TTD1409B Bipolar Transistors Silicon NPN Triple-Diffused Type TTD1409B TTD1409B TTD1409B TTD1409B 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications High-Voltage Switching 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) High DC current gain hFE = 600 (min) (VCE = 2 V , IC = 2 A) (2) Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor 3. Packa

 ..2. Size:202K  inchange semiconductor
 ttd1409b.pdf pdf_icon

TTD1409B

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor TTD1409B DESCRIPTION Collector Emitter Breakdown Voltage V = 400V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain h = 600(Min) @ I = 2A FE C 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use high-voltage switching applicatio

 9.1. Size:152K  toshiba
 ttd1410b.pdf pdf_icon

TTD1409B

TTD1410B Bipolar Transistors Silicon NPN Triple-Diffused Type TTD1410B TTD1410B TTD1410B TTD1410B 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications High-Voltage Switching 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) High DC current gain hFE = 2000 (min) (VCE = 2 V , IC = 2 A) 3. Packaging and Internal Circuit 3. Packaging and Internal Circuit 3. Packa

 9.2. Size:181K  toshiba
 ttd1415b.pdf pdf_icon

TTD1409B

TTD1415B Bipolar Transistors Silicon NPN Triple-Diffused Type TTD1415B TTD1415B TTD1415B TTD1415B 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications High-Power Switching Hammer Drivers 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) High DC current gain hFE = 2000 (min) (VCE = 3 V, IC = 3 A) (2) Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.5

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: TTC004B, TTC011B, TTC014, TTC015B, TTC016, TTC017, TTC3710B, TTC5460B, D209L, TTD1410B, TTD1415B, TTD1509B, TFM1759, TFN1036, TFN1037, TFN1386L, TFN1424