Биполярный транзистор TTD1410B - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: TTD1410B
Маркировка: D1410B
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: TO220SIS
TTD1410B Datasheet (PDF)
ttd1410b.pdf
TTD1410BBipolar Transistors Silicon NPN Triple-Diffused TypeTTD1410BTTD1410BTTD1410BTTD1410B1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Voltage Switching2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = 2 V , IC = 2 A)3. Packaging and Internal Circuit3. Packaging and Internal Circuit3. Packa
ttd1415b.pdf
TTD1415BBipolar Transistors Silicon NPN Triple-Diffused TypeTTD1415BTTD1415BTTD1415BTTD1415B1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Power Switching Hammer Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = 3 V, IC = 3 A)(2) Low collector-emitter saturation voltage: VCE(sat) = 1.5
ttd1415b.pdf
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor TTD1415BDESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 2000(Min)@ I = 3AFE CLow Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 1.5V(Max)@ I = 3ACE(sat) CComplement to Type TTB1020BMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general-purpose amplifier and low-speedswitc
ttd1409b.pdf
TTD1409BBipolar Transistors Silicon NPN Triple-Diffused TypeTTD1409BTTD1409BTTD1409BTTD1409B1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Voltage Switching2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High DC current gain: hFE = 600 (min) (VCE = 2 V , IC = 2 A)(2) Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor3. Packa
ttd1409b.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor TTD1409BDESCRIPTIONCollectorEmitter Breakdown Voltage: V = 400V(Min)(BR)CEOHigh DC Current Gain: h = 600(Min) @ I = 2AFE C100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use high-voltage switching applicatio
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
History: 2N2908
History: 2N2908
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050