TTD1410B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TTD1410B

Маркировка: D1410B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TO220SIS

 Аналоги (замена) для TTD1410B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TTD1410B даташит

 ..1. Size:152K  toshiba
 ttd1410b.pdf pdf_icon

TTD1410B

TTD1410B Bipolar Transistors Silicon NPN Triple-Diffused Type TTD1410B TTD1410B TTD1410B TTD1410B 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications High-Voltage Switching 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) High DC current gain hFE = 2000 (min) (VCE = 2 V , IC = 2 A) 3. Packaging and Internal Circuit 3. Packaging and Internal Circuit 3. Packa

 8.1. Size:181K  toshiba
 ttd1415b.pdf pdf_icon

TTD1410B

TTD1415B Bipolar Transistors Silicon NPN Triple-Diffused Type TTD1415B TTD1415B TTD1415B TTD1415B 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications High-Power Switching Hammer Drivers 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) High DC current gain hFE = 2000 (min) (VCE = 3 V, IC = 3 A) (2) Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.5

 8.2. Size:222K  inchange semiconductor
 ttd1415b.pdf pdf_icon

TTD1410B

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor TTD1415B DESCRIPTION High DC Current Gain- h = 2000(Min)@ I = 3A FE C Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 1.5V(Max)@ I = 3A CE(sat) C Complement to Type TTB1020B Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general-purpose amplifier and low-speed switc

 9.1. Size:172K  toshiba
 ttd1409b.pdf pdf_icon

TTD1410B

TTD1409B Bipolar Transistors Silicon NPN Triple-Diffused Type TTD1409B TTD1409B TTD1409B TTD1409B 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications High-Voltage Switching 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) High DC current gain hFE = 600 (min) (VCE = 2 V , IC = 2 A) (2) Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor 3. Packa

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: TTC011B, TTC014, TTC015B, TTC016, TTC017, TTC3710B, TTC5460B, TTD1409B, 2N4401, TTD1415B, TTD1509B, TFM1759, TFN1036, TFN1037, TFN1386L, TFN1424, TFN1514