TFN4505. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TFN4505

Маркировка: 3D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для TFN4505

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TFN4505 даташит

 ..1. Size:309K  tinfar
 tfn4505.pdf pdf_icon

TFN4505

Tin Far Electronic CO.,LTD Page No 1/4 TFN4505 Features High breakdown voltage. (BV =400V) CEO Low saturation voltage, typically V (sat) =0.1V at I /I 10mA/1mA. CE C B= Complementary to BTA1759N3 Symbol Outline TFN4505 SOT-23 B Base C Collector E Emitter Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Limit Unit Collector-Base Voltage VCB

Другие транзисторы: TFN2059, TFN2150, TFN2411, TFN2412, TFN2444, TFN3838, TFN3906, TFN4061, BD222, TFN5094, TS13002ACT, TS13002CT, TS13003BCT, TS13003CK, TS13003CT, TS13003HVCT, TS13003MVCT