TFNA06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TFNA06

Маркировка: 1G

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для TFNA06

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TFNA06 даташит

 ..1. Size:184K  tinfar
 tfna06.pdf pdf_icon

TFNA06

Tin Far Electronic CO.,LTD Page No 1/5 TFNA06 Description The TFNA06 is designed for use in general purpose amplification and switching application. High current , I = 0.5A C Low V , V = 0.25V(typ.) at I /I = 100mA/10mA CE(sat) CE(sat) C B Complementary to TFNA56. Pb-free package Symbol Outline TFNA06 SOT-23 B Base C Collector E Emitter Absolu

Другие транзисторы: TS13005CI, TS13005CZ, TS13007BCZ, TS13009CZ, TFN5177, TFN807, TFN817, TFN847, 2SA1943, TFNA14, TFNH10, TG50, TG51, TG52, TG53, TG55, TH430