TG50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TG50

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.175 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для TG50

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TG50 даташит

 ..1. Size:235K  no
 tg50 tg51 tg52 tg53 tg55.pdf pdf_icon

TG50

 0.1. Size:174K  onsemi
 ngtg50n60fwg.pdf pdf_icon

TG50

 0.2. Size:169K  onsemi
 ngtg50n60flwg.pdf pdf_icon

TG50

NGTG50N60FLWG IGBT This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on state voltage and minimal switching loss. http //onsemi.com Features Low Saturation Voltage using Trench with Field Stop Technology Low Switching Loss Reduces System

 0.3. Size:136K  powersem
 pstg50hst12.pdf pdf_icon

TG50

ECO-PACTM 1 Powerline N-Channel PSTG 50HST12 Trench Gate- VCES = 1200 V IGBT Module VCE(sat) = 1.9 V IC25 = 72 A IC75 = 50 A ICM = 150 A Preliminary Data Sheet tSC = 10 s I N H M B G A Features Symbol Test Conditions Maximum Ratings TVJ = 25 C to 150 C 1200 V VCES Package with DCB ceramic base continous V VGES 20 plate and soldering pins for PCB

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: TS13009CZ, TFN5177, TFN807, TFN817, TFN847, TFNA06, TFNA14, TFNH10, 13007, TG51, TG52, TG53, TG55, TH430, TH513, TH560, TH562