Справочник транзисторов. 2N675

 

Биполярный транзистор 2N675 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N675
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 75 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 70 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.4 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO31
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2N675 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:147K  international rectifier
 2n6756 irf130.pdf pdf_icon

2N675

PD - 90333FIRF130REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6756HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6756THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/542]100V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF130 100V 0.18 14AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique process

 0.2. Size:147K  international rectifier
 2n6758 irf230.pdf pdf_icon

2N675

PD - 90334F IRF230REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6758HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6758THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/542]200V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF230 200V 0.40 9.0ATO-3The HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique

 0.3. Size:141K  fairchild semi
 2n6757 2n6758.pdf pdf_icon

2N675

 0.4. Size:136K  fairchild semi
 2n6755 2n6756.pdf pdf_icon

2N675

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N6734 , 2N6735 , 2N6736 , 2N6737 , 2N6738 , 2N6739 , 2N674 , 2N6740 , BD139 , 2N6751 , 2N6752 , 2N6753 , 2N6754 , 2N676 , 2N677 , 2N6771 , 2N6772 .

History: PZTA28 | BDW25-4 | 2N2445 | 2SA922-2 | ESM5672 | 3CG953

 

 
Back to Top

 


 
.