Биполярный транзистор TK3904NND03 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: TK3904NND03
Маркировка: 1N
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: WBFBP-03B
Аналоги (замена) для TK3904NND03
TK3904NND03 Datasheet (PDF)
tk3904nnd03.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors C TK3904NND03 TRANSISTOR WBFBP-03B (1.21.20.5) TOP unit: mm DESCRIPTION NPN Epitaxial Silicon Transistor B E FEATURES C 1. BASE Epitaxial Planar Die Construction 2. EMITTER Complementary PNP Type Available (TK3906NND03) BACK Ultra-Small Surface Mount Pack
tk3904led03.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD WBFBP-03E Plastic-Encapsulate Transistors TK3904LED03 TRANSISTORNPN WBFBP-03E DESCRIPTION NPN single switching transistor ultra small SMD plastic package FEATURE1. BASE Complementary to TK3906LED03 2. EMITTER Single General-Purpose Switching Transistor 3. COLLECTORAPPLICATION General-Purpose Switching and Ampl
tk3904lld03.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03D Plastic-Encapsulate Transistors C TK3904LLD03 TRANSISTOR WBFBP-03D (1.01.00.5) TOP unit: mm DESCRIPTION NPN Epitaxial Silicon Transistor B E FEATURES C 1. BASE Epitaxial Planar Die Construction 2. EMITTER Complementary PNP Type Available (TK3906LLD03) BACK Ultra-Small Surface Mount Pack
tk3906lld03.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03D Plastic-Encapsulate Transistors C TK3906LLD03 TRANSISTOR WBFBP-03D (1.01.00.5) TOP unit: mm DESCRIPTION PNP Epitaxial Silicon Transistor B E C FEATURES 1. BASE Epitaxial Planar Die Construction 2. EMITTER Complementary NPN Type Available (TK3904LLD03) BACK 3. COLLECTOR Ultra-Small Surf
tk3906nnd03.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors C TK3906NND03 TRANSISTOR WBFBP-03B (1.21.20.5) TOP unit: mm DESCRIPTION PNP Epitaxial Silicon Transistor B E C FEATURES 1. BASE Epitaxial Planar Die Construction 2. EMITTER Complementary NPN Type Available (TK3904NND03) BACK 3. COLLECTOR Ultra-Small Surf
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP35C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050
