Биполярный транзистор TK3906LLD03
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: TK3906LLD03
Маркировка: 3N
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: WBFBP-03D
Аналоги (замена) для TK3906LLD03
TK3906LLD03
Datasheet (PDF)
..1. Size:93K jiangsu
tk3906lld03.pdf JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03D Plastic-Encapsulate Transistors C TK3906LLD03 TRANSISTOR WBFBP-03D (1.01.00.5) TOP unit: mm DESCRIPTION PNP Epitaxial Silicon Transistor B E C FEATURES 1. BASE Epitaxial Planar Die Construction 2. EMITTER Complementary NPN Type Available (TK3904LLD03) BACK 3. COLLECTOR Ultra-Small Surf
8.1. Size:370K jiangsu
tk3906nnd03.pdf JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors C TK3906NND03 TRANSISTOR WBFBP-03B (1.21.20.5) TOP unit: mm DESCRIPTION PNP Epitaxial Silicon Transistor B E C FEATURES 1. BASE Epitaxial Planar Die Construction 2. EMITTER Complementary NPN Type Available (TK3904NND03) BACK 3. COLLECTOR Ultra-Small Surf
9.1. Size:512K jiangsu
tk3904led03.pdf JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD WBFBP-03E Plastic-Encapsulate Transistors TK3904LED03 TRANSISTORNPN WBFBP-03E DESCRIPTION NPN single switching transistor ultra small SMD plastic package FEATURE1. BASE Complementary to TK3906LED03 2. EMITTER Single General-Purpose Switching Transistor 3. COLLECTORAPPLICATION General-Purpose Switching and Ampl
9.2. Size:91K jiangsu
tk3904lld03.pdf JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03D Plastic-Encapsulate Transistors C TK3904LLD03 TRANSISTOR WBFBP-03D (1.01.00.5) TOP unit: mm DESCRIPTION NPN Epitaxial Silicon Transistor B E FEATURES C 1. BASE Epitaxial Planar Die Construction 2. EMITTER Complementary PNP Type Available (TK3906LLD03) BACK Ultra-Small Surface Mount Pack
9.3. Size:297K jiangsu
tk3904nnd03.pdf JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors C TK3904NND03 TRANSISTOR WBFBP-03B (1.21.20.5) TOP unit: mm DESCRIPTION NPN Epitaxial Silicon Transistor B E FEATURES C 1. BASE Epitaxial Planar Die Construction 2. EMITTER Complementary PNP Type Available (TK3906NND03) BACK Ultra-Small Surface Mount Pack
Другие транзисторы... 2N3200
, 2N3201
, 2N3202
, 2N3203
, 2N3204
, 2N3205
, 2N3206
, 2N3207
, B772
, 2N3209
, 2N3209AQF
, 2N3209CSM
, 2N3209DCSM
, 2N3209L
, 2N321
, 2N3210
, 2N3211
.