Справочник транзисторов. NE02112

 

Биполярный транзистор NE02112 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NE02112
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4500 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO206AF
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

NE02112 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1108K  nec
 ne02112.pdf pdf_icon

NE02112

Download from www.ICminer.com Electronic-Library ServiceDownload from www.ICminer.com Electronic-Library ServiceDownload from www.ICminer.com Electronic-Library ServiceDownload from www.ICminer.com Electronic-Library ServiceDownload from www.ICminer.com Electronic-Library ServiceDownload from www.ICminer.com Electronic-Library ServiceDownload from www.ICminer.com Electronic-Li

 9.1. Size:1108K  nec
 ne02133.pdf pdf_icon

NE02112

Download from www.ICminer.com Electronic-Library ServiceDownload from www.ICminer.com Electronic-Library ServiceDownload from www.ICminer.com Electronic-Library ServiceDownload from www.ICminer.com Electronic-Library ServiceDownload from www.ICminer.com Electronic-Library ServiceDownload from www.ICminer.com Electronic-Library ServiceDownload from www.ICminer.com Electronic-Li

 9.2. Size:171K  nec
 2sc2351 2sc2149 2sc4092 ne02133 ne02135 ne02139.pdf pdf_icon

NE02112

NEC's NPN SILICON HIGH NE021FREQUENCY TRANSISTOR SERIESFEATURES HIGH INSERTION GAIN: 18.5 dB at 500 MHz LOW NOISE FIGURE: 1.5 dB at 500 MHz HIGH POWER GAIN: 12 dB at 2 GHz LARGE DYNAMIC RANGE: 19 dBm at 1 dB,2 GHz Gain CompressionDESCRIPTION00 (CHIP) 07/07BNEC's NE021 series of NPN silicon transistors provides eco-nomical solutions to wide ranges of amplifier a

 9.3. Size:178K  nec
 ne021 series.pdf pdf_icon

NE02112

NEC's NPN SILICON HIGH NE021FREQUENCY TRANSISTOR SERIESFEATURES HIGH INSERTION GAIN: 18.5 dB at 500 MHz LOW NOISE FIGURE: 1.5 dB at 500 MHz HIGH POWER GAIN: 12 dB at 2 GHz LARGE DYNAMIC RANGE: 19 dBm at 1 dB,2 GHz Gain CompressionDESCRIPTION00 (CHIP) 07/07BNEC's NE021 series of NPN silicon transistors provides eco-nomical solutions to wide ranges of amplifier a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2SD882SQ-E | DTC115EEB

 

 
Back to Top

 


 
.