Справочник транзисторов. NE02132

 

Биполярный транзистор NE02132 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NE02132
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4500 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для NE02132

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NE02132 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1108K  nec
ne02132.pdfpdf_icon

NE02132

Download from www.ICminer.com Electronic-Library ServiceDownload from www.ICminer.com Electronic-Library ServiceDownload from www.ICminer.com Electronic-Library ServiceDownload from www.ICminer.com Electronic-Library ServiceDownload from www.ICminer.com Electronic-Library ServiceDownload from www.ICminer.com Electronic-Library ServiceDownload from www.ICminer.com Electronic-Li

 8.1. Size:1108K  nec
ne02133.pdfpdf_icon

NE02132

Download from www.ICminer.com Electronic-Library ServiceDownload from www.ICminer.com Electronic-Library ServiceDownload from www.ICminer.com Electronic-Library ServiceDownload from www.ICminer.com Electronic-Library ServiceDownload from www.ICminer.com Electronic-Library ServiceDownload from www.ICminer.com Electronic-Library ServiceDownload from www.ICminer.com Electronic-Li

 8.2. Size:171K  nec
2sc2351 2sc2149 2sc4092 ne02133 ne02135 ne02139.pdfpdf_icon

NE02132

NEC's NPN SILICON HIGH NE021FREQUENCY TRANSISTOR SERIESFEATURES HIGH INSERTION GAIN: 18.5 dB at 500 MHz LOW NOISE FIGURE: 1.5 dB at 500 MHz HIGH POWER GAIN: 12 dB at 2 GHz LARGE DYNAMIC RANGE: 19 dBm at 1 dB,2 GHz Gain CompressionDESCRIPTION00 (CHIP) 07/07BNEC's NE021 series of NPN silicon transistors provides eco-nomical solutions to wide ranges of amplifier a

 8.3. Size:1108K  nec
ne02135.pdfpdf_icon

NE02132

Download from www.ICminer.com Electronic-Library ServiceDownload from www.ICminer.com Electronic-Library ServiceDownload from www.ICminer.com Electronic-Library ServiceDownload from www.ICminer.com Electronic-Library ServiceDownload from www.ICminer.com Electronic-Library ServiceDownload from www.ICminer.com Electronic-Library ServiceDownload from www.ICminer.com Electronic-Li

Другие транзисторы... TP9013NND03 , TP9014NND03 , TP9015NND03 , N0202R , N0202S , NE02103 , NE02107 , NE02112 , BC327 , NE02133 , NE02135 , NE73430 , NE73435 , NUS5530MN , NXP3875G , NXP3875Y , NZT44H8 .

History: MD2219F | BC847AQB | BFW52A

 

 
Back to Top

 


 
.