NUS5530MN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NUS5530MN  📄📄 

Маркировка: 5530

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 85 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: DFN8

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для NUS5530MN

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NUS5530MN даташит

 ..1. Size:163K  onsemi
 nus5530mn.pdf pdf_icon

NUS5530MN

NUS5530MN Integrated Power MOSFET with PNP Low VCE(sat) Switching Transistor This integrated device represents a new level of safety and board-space reduction by combining the 20 V P-Channel FET with a http //onsemi.com PNP Silicon Low VCE(sat) switching transistor. This newly integrated product provides higher efficiency and accuracy for battery powered portable electronics. 1 8 Feat

 0.1. Size:162K  onsemi
 nus5530mnr2g.pdf pdf_icon

NUS5530MN

NUS5530MN Integrated Power MOSFET with PNP Low VCE(sat) Switching Transistor This integrated device represents a new level of safety and board-space reduction by combining the 20 V P-Channel FET with a http //onsemi.com PNP Silicon Low VCE(sat) switching transistor. This newly integrated product provides higher efficiency and accuracy for battery powered portable electronics. 1 8 Feat

 8.1. Size:146K  onsemi
 nus5531mt.pdf pdf_icon

NUS5530MN

NUS5531MT Main Switch Power MOSFET and Single Charging BJT -12 V, -6.2 A, Single P-Channel FET with http //onsemi.com Single PNP low Vce(sat) Transistor, 3x3 mm WDFN Package MOSFET V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX This device integrates one high performance power MOSFET and one low Vce(sat) transistor, greatly reducing the layout space and 32 mW @ -4.5 V -12 V -6.2 A optimizing charging

Другие транзисторы: NE02103, NE02107, NE02112, NE02132, NE02133, NE02135, NE73430, NE73435, 2SC1815, NXP3875G, NXP3875Y, NZT44H8, NZT45H8, N0501S, NJD1718T4G, NJD2873T4G, NJD35N04G