Справочник транзисторов. NUS5530MN

 

Биполярный транзистор NUS5530MN Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NUS5530MN
   Маркировка: 5530
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.75 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 85 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: DFN8
 

 Аналог (замена) для NUS5530MN

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NUS5530MN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:163K  onsemi
 nus5530mn.pdf pdf_icon

NUS5530MN

NUS5530MNIntegrated Power MOSFETwith PNP Low VCE(sat)Switching TransistorThis integrated device represents a new level of safety andboard-space reduction by combining the 20 V P-Channel FET with ahttp://onsemi.comPNP Silicon Low VCE(sat) switching transistor. This newly integratedproduct provides higher efficiency and accuracy for battery poweredportable electronics. 1 8Feat

 0.1. Size:162K  onsemi
 nus5530mnr2g.pdf pdf_icon

NUS5530MN

NUS5530MNIntegrated Power MOSFETwith PNP Low VCE(sat)Switching TransistorThis integrated device represents a new level of safety andboard-space reduction by combining the 20 V P-Channel FET with ahttp://onsemi.comPNP Silicon Low VCE(sat) switching transistor. This newly integratedproduct provides higher efficiency and accuracy for battery poweredportable electronics. 1 8Feat

 8.1. Size:146K  onsemi
 nus5531mt.pdf pdf_icon

NUS5530MN

NUS5531MTMain Switch PowerMOSFET and SingleCharging BJT-12 V, -6.2 A, Single P-Channel FET withhttp://onsemi.comSingle PNP low Vce(sat) Transistor,3x3 mm WDFN PackageMOSFETV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAXThis device integrates one high performance power MOSFET andone low Vce(sat) transistor, greatly reducing the layout space and 32 mW @ -4.5 V-12 V -6.2 Aoptimizing charging

Другие транзисторы... NE02103 , NE02107 , NE02112 , NE02132 , NE02133 , NE02135 , NE73430 , NE73435 , 2N2222A , NXP3875G , NXP3875Y , NZT44H8 , NZT45H8 , N0501S , NJD1718T4G , NJD2873T4G , NJD35N04G .

 

 
Back to Top

 


 
.