NJD1718T4G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NJD1718T4G  📄📄 

Маркировка: 1718G

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 33 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO252

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для NJD1718T4G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NJD1718T4G даташит

 ..1. Size:112K  onsemi
 njd1718t4g.pdf pdf_icon

NJD1718T4G

NJD1718, NJVNJD1718 Power Transistors PNP Silicon DPAK For Surface Mount Applications Designed for high-gain audio amplifier and power switching http //onsemi.com applications. Features SILICON Low Collector-Emitter Saturation Voltage POWER TRANSISTORS High Switching Speed 2 AMPERES Epoxy Meets UL 94 V-0 @ 0.125 in 50 VOLTS NJV Prefix for Automotive and Other Appl

 0.1. Size:112K  onsemi
 njvnjd1718t4g.pdf pdf_icon

NJD1718T4G

NJD1718, NJVNJD1718 Power Transistors PNP Silicon DPAK For Surface Mount Applications Designed for high-gain audio amplifier and power switching http //onsemi.com applications. Features SILICON Low Collector-Emitter Saturation Voltage POWER TRANSISTORS High Switching Speed 2 AMPERES Epoxy Meets UL 94 V-0 @ 0.125 in 50 VOLTS NJV Prefix for Automotive and Other Appl

 7.1. Size:217K  inchange semiconductor
 njd1718.pdf pdf_icon

NJD1718T4G

isc Silicon PNP Power Transistor NJD1718 DESCRIPTION Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= -0.5V(Max)( I = -1A; I = -0.05A) CE(sat C B High Switching speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high-gain audio amplifier and power Switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYM

Другие транзисторы: NE73430, NE73435, NUS5530MN, NXP3875G, NXP3875Y, NZT44H8, NZT45H8, N0501S, TIP35C, NJD2873T4G, NJD35N04G, NS2029M3T5G, NSVT30010MXV6T1G, NSVT3904DP6T5G, NSVT3904DXV6T1G, NSVT3946DP6T5G, NSVT3946DXV6T1G