NJD1718T4G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: NJD1718T4G
Маркировка: 1718G
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 33 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO252
Аналоги (замена) для NJD1718T4G
NJD1718T4G Datasheet (PDF)
njd1718t4g.pdf
NJD1718, NJVNJD1718 Power Transistors PNP Silicon DPAK For Surface Mount Applications Designed for high-gain audio amplifier and power switching http //onsemi.com applications. Features SILICON Low Collector-Emitter Saturation Voltage POWER TRANSISTORS High Switching Speed 2 AMPERES Epoxy Meets UL 94 V-0 @ 0.125 in 50 VOLTS NJV Prefix for Automotive and Other Appl
njvnjd1718t4g.pdf
NJD1718, NJVNJD1718 Power Transistors PNP Silicon DPAK For Surface Mount Applications Designed for high-gain audio amplifier and power switching http //onsemi.com applications. Features SILICON Low Collector-Emitter Saturation Voltage POWER TRANSISTORS High Switching Speed 2 AMPERES Epoxy Meets UL 94 V-0 @ 0.125 in 50 VOLTS NJV Prefix for Automotive and Other Appl
njd1718.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor NJD1718 DESCRIPTION Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= -0.5V(Max)( I = -1A; I = -0.05A) CE(sat C B High Switching speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high-gain audio amplifier and power Switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYM
Другие транзисторы... NE73430 , NE73435 , NUS5530MN , NXP3875G , NXP3875Y , NZT44H8 , NZT45H8 , N0501S , TIP35C , NJD2873T4G , NJD35N04G , NS2029M3T5G , NSVT30010MXV6T1G , NSVT3904DP6T5G , NSVT3904DXV6T1G , NSVT3946DP6T5G , NSVT3946DXV6T1G .
History: DTL3514 | 2N3999 | U2TB406 | UN6222 | NE02103 | 2SD1775 | U2T833
History: DTL3514 | 2N3999 | U2TB406 | UN6222 | NE02103 | 2SD1775 | U2T833
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
7506 mosfet datasheet | 2sb1186a | a1695 datasheet | 3415 transistor | 072ne6pt | 2sd388 | 2sc1400 | 2sd331



