Биполярный транзистор NJD2873T4G Даташит. Аналоги
Наименование производителя: NJD2873T4G
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 65 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: TO252
Аналог (замена) для NJD2873T4G
NJD2873T4G Datasheet (PDF)
njd2873t4g.pdf

NJD2873T4G,NJVNJD2873T4GPower TransistorsNPN Silicon DPAK For Surface MountApplicationshttp://onsemi.comDesigned for high-gain audio amplifier applications.SILICONFeaturesPOWER TRANSISTORS High DC Current Gain2 AMPERES Low Collector-Emitter Saturation Voltage50 VOLTS High Current-Gain - Bandwidth Product Epoxy Meets UL 94 V-0 @ 0.125 in15 WATTS N
njvnjd2873t4g.pdf

NJD2873T4G,NJVNJD2873T4GPower TransistorsNPN Silicon DPAK For Surface MountApplicationshttp://onsemi.comDesigned for high-gain audio amplifier applications.SILICONFeaturesPOWER TRANSISTORS High DC Current Gain2 AMPERES Low Collector-Emitter Saturation Voltage50 VOLTS High Current-Gain - Bandwidth Product Epoxy Meets UL 94 V-0 @ 0.125 in15 WATTS N
njd2873t4.pdf

NJD2873T4GPlastic Power TransistorsNPN Silicon DPAK For Surface MountApplicationsDesigned for high-gain audio amplifier applications.http://onsemi.comFeatures High DC Current Gain - SILICONhFE = 120 (Min) @ IC = 500 mAPOWER TRANSISTORS= 40 (Min) @ IC = 2 A2 AMPERES Low Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat) = 0.3 Vdc (Max) @ IC = 1 A50 VOLTS High
njd2873.pdf

NJD2873Power TransistorsNPN Silicon DPAK For Surface MountApplicationsDesigned for high-gain audio amplifier applications.www.onsemi.comFeatures High DC Current Gain SILICON Low Collector-Emitter Saturation VoltagePOWER TRANSISTORS High Current-Gain - Bandwidth Product2 AMPERES Epoxy Meets UL 94 V-0 @ 0.125 in50 VOLTS NJV Prefix for Automotive and Othe
Другие транзисторы... NE73435 , NUS5530MN , NXP3875G , NXP3875Y , NZT44H8 , NZT45H8 , N0501S , NJD1718T4G , BD135 , NJD35N04G , NS2029M3T5G , NSVT30010MXV6T1G , NSVT3904DP6T5G , NSVT3904DXV6T1G , NSVT3946DP6T5G , NSVT3946DXV6T1G , NSVT45010MW6T1G .
History: PEMB30 | KSA992 | 2SD2012Y | PDTA144WT | KSC2310R | 2SB707 | KSC3953D
History: PEMB30 | KSA992 | 2SD2012Y | PDTA144WT | KSC2310R | 2SB707 | KSC3953D



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sb1186a | a1695 datasheet | 3415 transistor | 072ne6pt | 2sd388 | 2sc1400 | 2sd331 | 2sc1312 datasheet