NJD2873T4G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NJD2873T4G  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 65 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO252

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для NJD2873T4G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NJD2873T4G даташит

 ..1. Size:108K  onsemi
 njd2873t4g.pdf pdf_icon

NJD2873T4G

NJD2873T4G, NJVNJD2873T4G Power Transistors NPN Silicon DPAK For Surface Mount Applications http //onsemi.com Designed for high-gain audio amplifier applications. SILICON Features POWER TRANSISTORS High DC Current Gain 2 AMPERES Low Collector-Emitter Saturation Voltage 50 VOLTS High Current-Gain - Bandwidth Product Epoxy Meets UL 94 V-0 @ 0.125 in 15 WATTS N

 0.1. Size:108K  onsemi
 njvnjd2873t4g.pdf pdf_icon

NJD2873T4G

NJD2873T4G, NJVNJD2873T4G Power Transistors NPN Silicon DPAK For Surface Mount Applications http //onsemi.com Designed for high-gain audio amplifier applications. SILICON Features POWER TRANSISTORS High DC Current Gain 2 AMPERES Low Collector-Emitter Saturation Voltage 50 VOLTS High Current-Gain - Bandwidth Product Epoxy Meets UL 94 V-0 @ 0.125 in 15 WATTS N

 5.1. Size:93K  onsemi
 njd2873t4.pdf pdf_icon

NJD2873T4G

NJD2873T4G Plastic Power Transistors NPN Silicon DPAK For Surface Mount Applications Designed for high-gain audio amplifier applications. http //onsemi.com Features High DC Current Gain - SILICON hFE = 120 (Min) @ IC = 500 mA POWER TRANSISTORS = 40 (Min) @ IC = 2 A 2 AMPERES Low Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 0.3 Vdc (Max) @ IC = 1 A 50 VOLTS High

 7.1. Size:66K  onsemi
 njd2873.pdf pdf_icon

NJD2873T4G

NJD2873 Power Transistors NPN Silicon DPAK For Surface Mount Applications Designed for high-gain audio amplifier applications. www.onsemi.com Features High DC Current Gain SILICON Low Collector-Emitter Saturation Voltage POWER TRANSISTORS High Current-Gain - Bandwidth Product 2 AMPERES Epoxy Meets UL 94 V-0 @ 0.125 in 50 VOLTS NJV Prefix for Automotive and Othe

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: NE73435, NUS5530MN, NXP3875G, NXP3875Y, NZT44H8, NZT45H8, N0501S, NJD1718T4G, BD135, NJD35N04G, NS2029M3T5G, NSVT30010MXV6T1G, NSVT3904DP6T5G, NSVT3904DXV6T1G, NSVT3946DP6T5G, NSVT3946DXV6T1G, NSVT45010MW6T1G